利用有效媒质理论对纳米金属薄膜介电函数的初步分析.pdfVIP

第 36卷 第 n 期 金 属 学 破 Vb1．36 No．11 2000年 l1月 ACTA METALLURGICA SINICA November2000 利用有效媒质理论对纳米金属薄膜介电函数的初步分析 玉 究 Ⅲ 毒荣芳闻立时 摘 蔓 利用有效媒质理论描述了纳米金属薄膜形成过程中介电函散的变化规律 与实验获得的纳米AI和Ti薄膜形成过程中 的介电函散变化结果相接近 码 A 文章编号 0412—1961(2000)11—1165—04 EFFECTIVE M EDIUM THEoRY To DIELECTRIC FUNCTIoN 0 专 CHANGE oF NANoM ETAL FILM DUHao,xIAoJ{nquan，TANMinghui．sUNChao，HUANGRon~fang，wENLishi 1wtituteofMete]Resefi~h，TheChineseAcademyofSciences，Shenyang110015 丁 3 Correspondent：DUHao．1ecturer，Tel：(oz4)2ss4s5s1—5525O．BⅡ：o《2{)e3843436， J E-mail：hduOimr．口c．cn Me．n~erlptreceived2000-04-28．inrevisedform 2000-08-07 ABSTRACT Thechangeofdielectricfunctionduringtheformationofnanometalfilm isdiscribed withtheeffectivemedium theory Thelittledifferencebetweenthetheoreticallycalculatedandexper- imentalresults r聃 discussed． KEY W ORDS nan0film．dielectricfunction，effectivemedium theory 纳米金属薄膜在形成过程中要经过粒状结构、岛状结 靶电流为8～l0A，工作压强为 (4—5)×10_。Pa，由西 构、迷津结构，最后形成连续结构 【，．在此过程中，由 北工业大学介电常数测量仪测试的Al膜及Ti膜的介电 于纳米微粒的表面效应和体积效应，导致许多特殊的磁、 函数一厚度关系如图l所示 (i雯量『频率 ／=9．38CHz)． 光，声、热、电及宏微观效应，如薄膜的电导率 ，光学 从图1可以看出： (1)两种纳米薄膜的介电函数随 函数 (n，)，介电函数(E，E)等结构特性参数具有尺寸 薄膜厚度的增加而下降．薄膜厚度在 5—20nm 之间下 效应 _3_．国内外对此有大量实验现象报道 ，但都缺乏 降速度最快，然后趋于平缓，膜厚大约在 35nm 时，两 相应理论分析．本文将金属薄膜形成过程中的形态看成是 种纳米薄膜的介电函数的实部 E与虚部 E 趋于定值． 由金属微粒与真空 (空气)构成的连续复合体，薄膜由不 (2)虽然 Al和 Ti为良导体，但两种材料纳米薄膜的介 连续结构形成连续结构，相当于复合媒质中金属微粒的体 电函数的实部和虚部在一定厚度内表现出介于导体和绝 积分数的增加，并由此尝试用有效媒质理论分析所获得的 缘体之间的性质 嘲，即纳米金属薄膜具有区别于块体金 薄膜介电函数实验结果． 属材料的特性． (3)对于相同的薄膜厚度，Ti膜介电函 1 膜的制备及介电函数的刹试 数的实部，虚部都比AI膜的高． Al膜及Ti膜制备采用平面固定靶磁控溅射系统．基 2 有效媒质理论