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Flyback变压器绕制方法对漏感及Spike的影响.doc
Flyback变压器绕制方法对漏感及Spike的影响这是一个我以前做过的充电器,Flyback架构,输入220Vac,输出24V,2A.变压器包含一个原边绕组,一个副边绕组及一个辅助电源绕组.为了减小漏感以尽可能降低开关管Spike,特将变压器绕制方法作如下比较. 1.首先,由于原边匝数较多,将其分为二个部分,按下图方法绕制: 此变压器L＝224uH,Lo=14uH,Spike波形如下,大小为243V 2.不分开原边,将副边绕组分成两个并联的绕组绕制: 其L=214uH,Lo=9uH,Spike变为181V 3.结合1与2的方法 其L=214uH,Lo=5.7uH,Spike=125V 以上结果表明,交叉换位越彻底,漏感越低.但需要切记的是,交叉换位的程度并不是说分得越多越好,分得太多有时会适得其反.假设电路上的snubber电容不会变化,而mosfet的结电容也稳定,假设flyback 的初级线圈能量100%传递到次级,那么漏感的能量就在开关管关断的时候100%传递到snubber以及结电容上.电源对于交流是短路的,那么可以得到Ctotal=Csnubber+Cjunction. 这里的C是一定的.漏感为Lo. 有:1/2(LoIp^2) = 1/2 (CV^2) 代入不同的Lo就可以得出不同漏感下Vspike的比例: Lo1 ＝??14uH??V ＝ 243 Lo2 ＝??9uH?? V ＝ 195 Lo3 ＝??5.7uH V ＝ 143 可以看出这里计算的电压和实际测量的电压有一点点误差,这些误差应该来自于理论值和实际的电路上的离散特性所造成的.例如,分布电容的变化,漏感变化对Ip的影响,耦合率上升对能量传递的影响等等. 由于漏感以及这些电容所造成的能量损失需要释放,所以我们可以加上一个snubber电阻去释放能量,当热辐射和消耗能量平衡的时候,这颗电阻就会有一个固定的温升.
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