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GaxPy(x+y=8)及其阴离子团簇的结构与性质的DFT研究.pdf
理化学学报(Wuli Huaxue Xuebao)
October Acta Phys. Chim. Sin., 2006, 22(10) ：1253 1259 1253
[Article]
Ga P (x+y=8)及其阴离子团簇的结构与性质的DFT 研究
x y
彩红 贾建峰 玲 武海顺*
(山西师范大学化学与材料科学学院, 山西临汾 041004)
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摘要 用密度泛函理论方法对半导体二元微团簇Ga P 和Ga P (x+y=8) 的几何结构、电子态、能量等进行了计算,
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在B3LYP/6鄄311+G(2df)水平下完成结构优化和频率分析. 讨论了电荷诱导结构发生变化情况, 与中性团簇相比,
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在阴离子团簇中, Ga—P 键较P—P 键有利于形成. 预测了未知Ga P 、Ga P 、Ga P 、Ga P 和Ga P 化合 的最稳
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定结构存在的可能性, 得 在Ga P 和Ga P (x+y=8) 中, Ga P 和Ga P 比较稳定. 给 了两种能差即绝热电子亲合
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势( E )和垂直电离能( E ), 并与相关文献作比较. Ga P 和Ga P 的绝热电子亲合势与实验值相当吻合. 布居
AEA VDE 4 4 5 3
分析表明, 磷化镓团簇的成键属于混合键型.
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