催化剂对合成碳化硅晶须的影响.pdfVIP

第 41卷 第 2期 中 国 陶 瓷 Vol.41 No.2 2005年 4月 CHINA CERAMICS Apr.2005 探索与交流 催化剂对合成碳化硅晶须的影响 1 1 2 2 宋祖伟 ，李旭云 ，赵 茹 ，戴长虹 （1莱阳农学院, 青岛 266109； 青岛理工大学，2 青岛 266033） 摘 要：以炭黑和SiO微粉为原料，用双重加热技术合成了碳化硅晶须，考查了催化剂的种类、用量和加入 2 方式对合成碳化硅晶须的影响。研究表明：以FeO为催化剂，用量为原料SiO总量的2%，在1250℃下、1.5h内 2 3 2 可以获得平均直径为0.6μm、平均长度为30μm、生成率达80%的碳化硅晶须。 关键词：碳化硅，晶须，合成，催化剂 中图分类号：TQ174.75 文献标识码：A 文章编号： 1 前 言 碳化硅晶须具有高强度、高硬度、高弹性模量及重量 轻、耐腐蚀、化学性质稳定等优良特性，在增强金属基、陶 瓷基复合材料的应用中具有明显的优势，被誉为“晶须之 王”，广泛应用于机械、化工、国防、能源等领域。 目前碳化硅晶须的规模化生产均采用固相合成法：以 稻壳或炭黑、SiO微粉等为原料，加入能促进碳化硅晶须 2 生成和生长的催化剂，经电炉加热在高温下进行碳热还原 反应而制得。本文以炭黑、SiO微粉为原料，采用双重加 2 [1] 热技术 合成出碳化硅晶须，在前期工作的基础上主要考察 了催化剂的影响。 图1 OFe催化剂合成的碳化硅晶须的SEM照片 2 实 验 2 3 O catalyst 23 将一定比例的炭黑、SiO微粉和催化剂混合均匀，然 2 SiO(g)＋ 2C(s)＝ SiC(s)＋ 后放入双重加热炉中加热到1250℃，恒温1.5h。烧成料经 SiO(g)＋ 3CO(g)＝ SiC(s)＋ 2CO 2 过分离提纯后，计算碳化硅晶须的生成率（碳化硅晶须占 反应(1)、(2)产生的SiO与C或CO气体通过反应(4)或 碳化硅理论产量的质量百分率），用扫描电子显微镜观察碳 (5)生成碳化硅晶核，然后碳化硅晶核沿一维、二维或三维 化硅晶须的形貌，利用颗粒图像分析仪测定晶须的直径和 方向生长可以分别得到晶须，晶片或颗粒。其中反应(4)是 长度。 气体SiO与固体C之间的反应，是以碳颗粒为核的气-固 3 结果与讨论 反应，是生成碳化硅颗粒的主要反应；反应(5)是气体SiO 与CO之间的气-气反应，是生成碳化硅晶须的主要反应。 图1是以FeO为催化剂合成的碳化硅晶须的扫描电 2 3 实验中考察了催化剂对碳化硅晶须生成率的影响，结 镜照片，从图中可以看出，碳化硅晶须形状规则，直