高产额中子管的研究设计途径.pdfVIP

中国核科学技术进展报告（第一卷） 粒子加速器分卷 Progress Report on China Nuclear Science Technology （Vol.1 ） 2009 年11 月 高产额中子管研究设计途径 肖坤祥，金大志，向 伟，谈效华 （中国工程物理研究院电子工程研究所 四川 绵阳 621900 ） 摘要：研究设计应用于中子辐射成像的高产额中子管，由于其内部结构复杂和高中子产额、强束流，对引出的束流 品质和离子光学系统设计要求严格。在强束流、高产额条件下工作，离子源和靶极的散热设计也极为苛刻。为此在 束流计算的基础上，对高产额中子管的主要技术途径和拟采取的方法进行了探索和相关设计，相关试验和设计已取 得一定进展。 关键词：高产额；离子源；离子光学 根据需求，拟研制以下技术指标的高产额中子管，其主要指标有：中子发生器产额要求在5×109～ 10 2×10 n/s 之间；输出中子能量14MeV；束流轰击靶面积在Φ25mm 以下，最好15mm 左右；产品要 能稳定可靠地工作、实现工业化应用。 要达到以上要求的中子管，据公开发表的国内文献看，在国内尚属首创，在国际上也处于领先 水平。国内外进行高产额、长寿命中子发生器研制一般向两个方向发展，一是利用小束流适当降低 产额、小型化、氘氚混和自成靶，以提高使用寿命，最主要的应用是在石油测井和其它需要便携式 中子发生器的地方；另一种是大的靶面积、自成靶以实时补充消耗的氘氚混和气体，利用大束流、 靶散热、多级加速系统，甚至带有真空泵以维持中子管内部真空。 1 产额与束流计算 图1 靶膜中氚浓度随膜厚的假想分布 a—均匀饱和分布；b—初始分布；c—寿命终结时分布 作者简介：肖坤祥（1975—），男，硕士，核技术及应用专业，工程师，从事中子管、中子发生器的研究工作 118 [1] 中子管的最终产额与靶中离子射程内的氚浓度紧密相关 。中子管在存放和工作过程中氚浓度 不断遭到损失，在一定充氚条件下，氚粒子浓度在靶膜中并非均匀分布，而随膜厚形成某种分布。 设氚在膜层中的饱和浓度为ns ，在整个膜层中均匀分布时，则浓度分布为一直线。如图1a 所示。但 由于吸附、扩散、渗透及表面脱附等物理过程的影响，实际分布将可能如图1b 中曲线所示。参与核 反应的氚仅是靶膜表层一倍射程之内的氚。假设由于核反应、脱附、氘离子稀释、离子溅射等因素， 使靶表面氚浓度下降到n0 时，中子产额降低到最低限值，此时靶膜深度的氚会缓慢向外扩散形成新 的浓度分布。若没有外部的氚实时向靶中补充消耗掉的氚，则只有氚浓度高于曲线c 的部分才能对 额定产额有贡献。这样的氚靶其氚的利用率非常低，而稀释的速度又很快，其寿命必然很短，预制 氚靶就属于这样一种类型。 用TRIM 程序计算 100keV 的氘离子在氚钛靶中的射程见图2 。 图2 离子入射范围及深度分布 从TRIM 计算所得的上图可以看出：D 离子入射靶深度小于1µm，80%的离子射程在0.6~0.9µm 范围内。 按以上技术条件要求靶使用面积按Φ15mm 计，靶镀钛，氚钛原子比设定为1.5，D 离子能量为 100keV，此能量的D 离子入射靶深度接近1µm，不考虑靶中氚的扩散效应。计算1µm 内含有氚与D 离子反应所能得到的最高中子产额。 离子源中电离的氘离子在加速高压的作用下，获得一定的能量后轰击氚靶产生所需的中子。根 据需求，中子产额要达到 1×1010 + n/s 以上才算合格，此时轰击到靶子上的D 离子束流的大小按 1mA 计算，可以由以下的方法计算。 能量为E [2] d 的每个入射氘核，打在一定厚度的TiT 靶上，产生的中子产额 为：