关于蓝光芯片透明导电薄膜ITO退火工艺的的研究.pdfVIP

第十五月‘全固化合物半导体、微波圈-件和光电器件学术会议 关于蓝光芯片透明导电薄膜lTO退火工艺的研究 沈燕，彭璐，杨鑫沼，刘存志+ (山东华光光电子有限公司，济南250101) 摘要：蓝它石衬底GaN基LED的电流拥挤效应一直是制约影响二极管寿命主耍问题，常见电流扩展层薄Ni／Au层或ITO 导电薄膜。本文主耍研究了ITO导电膜的退火对蓝光LED光电参数的影响。从实验对ITO导电薄膜退火对蓝光管芯的工艺加以 研究，经过ITO退火上艺芯片比没有ITO退火的芯片，正向压降低0．2V以上，亮度一致性更高。这为提高蓝光管芯参数性能提 供了依据。 关键词：GaN，ITO，退火 中图分类号：TP211+．6 The of conducti vethi nfi ImI T0 research transparent anneaI i I onthebI Mechi techno ng ogy ps Yan Shen，Lu Peng，XinzhaoYang (ShandongHuaguangOptoelectronicsCo．，Ltd．Jinan250101，Chin彬 of has a constraintaffectthediodelife Abstract：Thecurrent effecton substrateGaN—basedLED been crowding Sapphire major conductivefilmonthe ofthe issues．Thereiscommoncurrent ofNi／AuorITO studiedtheITO expansion layer．Thispaper annealing LED Vf Blue the reducemorethanO．2v，andhigherbrightnessconsistency．This parameters．Fromexperiments。afterannealingprocess abasisto thecore ofblue provided improve performanceparameterschips． Keyword：GaN，ITO，annealing EEACC：TP21】+6 前言 火对监光LED管芯光电参数的影响。由管 自从1991年Nichia公司的Nakamura芯在ITO退火前后结果对比，经过ITO的 退火，蓝光管芯正向电压减小，同时管芯亮 等人成功地研制出掺Mg的异质结GaN蓝 度也明显提高，亮度一致性更强，在实验的 光LED，GaN基LED得到了迅速的发展[1】。 GaN基蓝绿LED常用蓝宝石或SiC做衬底，基础上，我们针对实验结果给出了理论上的 但SiC衬底材料由于价格及热机械性能方面 解释。这一研究对提高GaN基蓝光管芯产 的影响凶素【2】，目前蓝宝石衬底GaN蓝光品一致性有明显作用。 LED仍为主流材料。蓝宝石衬底GaN基LED 透明导电薄膜_ITo 的电流拥挤效应使器件局部区域温度升高，