带胶剥离工艺粘附性实验研究.pdfVIP

第 35卷第 5期 微 电 子 学 Vo1．35。№ 5 2005年 1O月 croelectronics Oct．2005 文章编号 ：1004—3365(2005)05—0513—04 带胶剥离工艺粘附性实验研究 姚 飞，薛春来，成步文 (中国科学院半导体研究所 集成光电子国家重点实验室，北京 100083) 摘 要： 带胶剥离是微 电子工艺的常见工艺步骤。文章通过对带胶剥离的样品进行退火实验，研 究了电极蒸发金属和不同基底的粘附特性。实验表明，带胶剥离工艺制备的电极，其金属与衬底 的 粘附性差，退火过程产生气泡，严重影响了器件 的特性 。蒸发温度、蒸发室真空度 ，以及基片表面的 清洁度与气泡产生有密切的关系。从这几点入手，提 出了相应的改进方法。 关键词： 带胶剥离；热蒸发；退火；粘附 中图分类号 ： TN305 文献标识码 ： A AnExperimentalStudyonAdhesion inLift-OffTechnique YAO Fei，XUEChun—lai。CHENG Bu—wen 【SlateKeyLaboratoryo71IntegratedOptoelectronics，InstituteofSemicorMuctors，TheChineseAcademyofSciences Beijing100083，P、R、China) Abstract： Thelift—offtechniqueiswidelyusedinmicroelectronicprocessforrealizingsmallmetalinterconnection geometries、Theadhesionofmetalfilmstodifferentsubstratesisinvestigatedbasedonanannealing experimenton lift—offsamples．TheexperimentindicatesthatIheadhesionofthemetalfilm tosubstratesisnotveryfirm，andafter annealingthereexistsomeairbubblesbetweenmetalfilm andsubstrates，whichhasagraeteffectontheperform— anteofthedevice．ThisphenomenoniSinvestigatedandmethodsareproposedtosolvetheproblem． Keywords： Lift—off；Themr alevaporation；Annealing Adhesion EEACC： 2550 进方法 。 引 言 2 带胶剥离工艺 随着互连 图形技术的发展，化学刻蚀工艺的缺 点愈加明显。随着特征尺寸的进一步减小，化学腐 剥离技术是一种重要的工艺技术，它是通过光 蚀方法在制作金属互连上的局限性也越来越大。自 刻胶曝光显影后形成 的图形对金属作掩蔽 ，以形成 1966年 Stelter采用带胶剥离工艺制备铬掩膜_]]作 不同要求的金属 图形 。其工艺过程如图 j所示 。 为化学刻蚀的替代工艺以来，带胶剥离工艺在金属 先在衬底上涂光刻胶 ，通过曝光和显影制成图形，要 互连工艺上的应用已越来越广泛。在不同基片上使 求不需要制备金属 图形的地方覆盖有光刻胶 ，如图 用带胶剥离工艺制备金属图案，金属制备方法不同， 1(a)所示；然后在其