第四章压力的测量.ppt

1、变极距式电容传感器 当动极板受被测物体作用引起位移时，改变了两极板之间的距离d，从而使电容量发生变化。 * * a）??? 结构示意图 b）电容量与极板距离的关系 1—定极板 2—动极板 显然， 时， ，于是 2、变面积式电容传感器 图a是平板形直线位移式结构，其中极板1可以左右移动，称为动极板。极板2固定不动，称为定极板。 图b是同心圆筒形变面积式传感器。外圆筒不动，内圆筒在外圆筒内作上、下直线运动。 图c是一个角位移式的结构。极板2的轴由被测物体带动而旋转一个角位移? 度时，两极板的遮盖面积A就减小，因而电容量也随之减小。 * * 电容： 电容增量： 测量灵敏度： 变面积式电容传感器的特性 变面积式电容传感器的输出特性是线性的，灵敏度是常数。这一类传感器多用于检测直线位移、角位移、尺寸等参量。 * * 3、变介质型电容传感器 因为各种介质的相对介电常数不同，所以在电容器两极板间插入不同介质时，电容器的电容量也就不同。 * * 几种介质的相对介电常数 * * 相当于两电容并联： 其中： 取x=0时电容为C0，有 电容与x的关系推导如下： 结论：电容与位移x之间呈线形关系。 （二）特性1.等效电路2.静电引力3.寄生电容4.温度影响 * * （三）测量电路 1、运算放大器式测量电路 2、脉冲调制电路 原1 充电 原0 升压 变1 0 1 初始C1=C2，M、N等间隔0、1翻转， 输出平均电压为0。 如果C1、C2不等，M、N翻转将不再等间隔，输出平均电压会向正（或负）偏离： 输出限幅 3、变压器电桥 如果变压器电桥的Z1、Z2采用两个变间隙电容，有 （四）电容式压力传感器应用1、电容式差压变送器 * * 高压侧进气口 低压侧进气口 电子线路位置 内部不锈钢膜片的位置 电容式差压变送器内部结构 1—高压侧进气口 2—低压侧进气口 3—过滤片 4—空腔 5—柔性不锈钢波 纹隔离膜片 6—导压硅油 7— 凹形玻璃圆片 8—镀金凹形电极 9—弹性平膜片 10—? 腔 * * 各种电容式差压变送器外形 * * 各种电容式压力变送器外形（续） * * （参考丹东长隆 自控有限公司 资料） 法兰 各种电容式压力变送器外形（续） * * 2、利用电容差压变送器测量液体的液位 差压变送器 * * 施加在高压侧腔体内的压力与液位成正比： p =? g h 电容差压变送器用于测量液体的液位 * * 投入式水位计 四、 压阻式传感器 是利用硅的压阻效应和微电子技术制成的，是一种新的物性型传感器。 优点：灵敏度高、动态响应好、精度高、易于微型化和集成化等。 （一）?? 压阻效应 固体材料在应力作用下发生形变时，其电阻率发生变化的现象被称为压阻效应。 对半导体材料 对金属材料 电阻相对变化量 π——压阻系数 σ——应力 E——弹性模量 由于πE一般都比（1+2μ）大几十倍甚至上百倍，因此，引起压阻效应的主要原因是半导体材料电阻相对变化，则上式可近似写成 式中 π——压阻系数；E——弹性模量； σ——应力； ε——应变。 上式表明压阻传感器的工作原理是基于压阻效应。 扩散硅压阻式传感器的基片是半导体单晶硅。单晶硅是各向异性材料，取向不同其特性不一样。而取向是用晶向表示的，所谓晶向就是晶面的法线方向。 （二） 扩散型压阻式压力传感器 压阻式压力传感器结构简图 1—低压腔 2—高压腔 3—硅杯 4—引线 5—硅膜片 采用N型单晶硅为传感器的弹性元件，在它上面直接蒸镀半导体电阻应变薄膜 工作原理： 膜片两边存在压力差时，膜片产生变形，膜片上各点产生应力。 四个电阻在应力作用下，阻值发生变化，电桥失去平衡， 输出相应的电压，电压与膜片两边的压力差成正比。 四个电阻的配置位置： 按膜片上径向应力σr和切向应力σt的分布情况确定。 设计时，适当安排电阻的位置，可以组成差动电桥。 扩散型压阻式压力传感器 特点 优点: 体积小，结构比较简单，动态响应也好，灵敏度高，能测出十几帕的微压，长期稳定性好，滞后和蠕变小，频率响应高，便于生产，成本低。 测量准确度受到非线性和温度的影响。智能压阻式压力传感器利用微处理器对非线性和温度进行补偿。