在InAs／InxGa1-xAs核壳量子点中电子的能态研究.pdfVIP

第29卷 第3期 金 陵 科 技 学 院 学 报 Vo1．29，No．3 2013年9月 JOURNALOF删 S唧 ，rEOFTBCHNOLOGY Sop．，2013 在InAs／InxGa1一xAs核壳量子点中电子的能态研究 蒋洪良，刘 平，王晓秋，杨卓慧，黄 勇 (金陵科技学院公共基础课部，江苏 南京 211169) 摘 要：分析了单 电子情况下InAs／InGaAs核壳结构量子点中系统总哈密顿 ，利用有效质量理论求解 了稳态薛 定谔方程；在考虑电子一声子相互作用下，利用微扰理论计算得到系统的能谱及波函数，并对其参量关系进行了 分析和讨论 。 关键词 ：核壳量子点；电子一声子相互作用 ；有效质量理论 ；微扰理论 中图分类号 ：O471．1 文献标识码 ：A 文章编号 ：l672—755X(2013)03--O0O6一O5 EnergyStatesofElectroninInAs／InGa1--xAs Core-shellQuantum Dots JIANG Hong—liang，LIU Ping，WANG Xiao—qiu，YANG Zhuo—hui，HUANG Yong (JinlingInstituteofTechnology，Nanjing211169，China) Abstract：ThetotalHamiltonianofasingle—electronsystem inan InAs／InGaAscore—shell quantum dotsisstudiedtheoretically．Based on theeffective masstheorythesteady—state Schrodingerequation isobtained．Considering theelectron—phonon interaction，theenergy spectrum andwavefunctionsofthesystem areinvestigatedbytheuseofperturbationtheory， andtherelationshipamong theirparametersareanalyzedand discussed． Keywords：core—shellquantum dots；electron—phonon interaction；theeffectivemasstheory； perturbationtheory 量子点中电子 自旋弛豫 的理论研究首先涉及到 电子能谱的确定 ，在球形 、椭球和柱形量子点中电子的 波 函数和能级已有较多报道 ，而关于核壳型量子点相关的报道，主要涉及化学合成制备、非线性光学性 质的研究等 。主要对 InAs／InGa一As核壳量子点中电子的能态进行计算和分析，为下一步研究核壳 型量子点结构中电子 自旋弛豫的机制提供 了有益的参考数据 。 1 系统哈密顿量 考虑一个柱形核壳量子点，其中核材料为InAs，壳层材料为InGa一As，在量子点的外层空间充满非 极性介质形成无限深势阱。量子点内核半径为尺 ，壳半径为R ，如图1所示 。在有效质量近似下，考虑在核 壳结构量子点中单 电子情况 ，则系统总哈密顿可表示为 ： H — Ho+ 14 + H 一 (1) 疗。为电子的哈密顿量 ，可写为 ： 收稿 日期 ：2003—09—10 基金项 目：金陵科技学院自然科学基金 (jit—n一201205)；博士基金 (jit—b一201201，jit—b一201202，jit—b一201203) 作者简介：蒋洪 良(1977一)，男，江苏宜兴人，讲师，博士，主要从事低维半导体材料研究。 第3期 蒋洪 良，等：在InAs／InGa一As核壳量子点中电子的能态研究 百。一一导 +(r) (2) 其中m 为电子