高压VDMOSFET中的快恢复体二极管的设计新方法.pdfVIP

维普资讯 辽宁大学学报 JOURNALOFLIA0NlNcUNlVERSITY 自然科学版 NaturalSciencesEdition 第33卷 第 1期 2006年 V01．33 No．1 20O6 高压VDMOSFET中的快恢复体二极管的设计新方法 石广源 ，张俊松 ，张 雯 ，闫冬梅 (1．辽宁大学 物理系，辽宁 沈阳 110036；2+辽宁大学 法学院，辽宁 沈阳 110036； 3．辽宁大学 信息学院，辽宁沈阳 110036) 摘 要：提出了一种提高高压垂直双扩散 MOS场效应晶体管(VDMOSFET)的体二级管恢复速度的新方 法．在这一方法中，肖特基接触集成于VDMOSFET中的每一单胞中．据此生产的样品的实验结果表明，对 于500V／2A的VDMOSFET，反向恢复电荷减小了50％，体二极管的恢复因数增大了60％． 关键词：体二极管；恢复速度；肖特基接触；VDMOSFET． 中图分类号：TN386，1 文献标识码：A 文章编号：1000-5846(2006)o1-00384)4 垂直双扩散金属 一氧化物一半导体场效应晶 速度．这一方法的优点在于：无污染，无电学参数 体管 (VDMOSFET)的结构中包含一个由P阱和 的老化，不影响阈值电压，易于实现．本文还给出 n一漂移区构成的寄生二极管．在如马达控制这类 了单胞中带有不同肖特基接触比例的VDMOS- 应用中，这一内部体二极管非常有益于作为一个 FET样品的实验结果．同时，用 MEDICI进行了模 缓冲二极管而使用．然而，它的反向恢复速度较 拟，来比较不同工艺线宽的情况． 慢，使得开关过程的功率损失显著增大，因而大大 1 带有单胞分布肖特基接触的VD— 限制了它的应用．据文献报导，现已有几种方法来 MOSFET结构 提高体二极管的反向恢复速度．对低压范围(击 穿电压低于50V)，有人提出在VDMOSFET芯片 尽管沟槽栅结构广泛应用于现代低压功率 的中心专门制作一个单独的肖特基二极管，来规 MOSFET技术 中，但平面栅结构仍在高压功率 避寄生体二极管．L】但是，由于这一肖特基二极 MOSFET生产中占据主导地位，因为它具有耐用、 管的阻断能力较弱，使这一方法不能应用于高压 技术简单等优点．基于传统 的高压 MOSFET结 器件．在高压范围(击穿电压高于200V)，常采用 构 ，我们提出了一种新结构来提高体二极管的恢 载流子寿命控制技术．电子辐照 或质子辐照 可以有效地减少体二极管的反向恢复电荷 Q ；然 上 而，由辐照引起的损伤严重影响了VDMOSFET的 p T 阈值电压、漏电流、击穿电压等特性．_3 精细控 制的铂注入与扩散能非常有效地减少 Q_o；然 而，这一技术要求用到一些重金属，且工艺步骤非 常复杂，而重金属一般会对制造过程造成污染． I,,-~DMOS单胞—卜 特基二极管+ VDMOS单胞— 本论文针对高压VDMOSFET提出了单胞分 图1 新型VDMOS