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2015-08-29 发布于安徽
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揭秘 NAND 闪存的工厂编程 Understanding NAND Flash Factory Programming 来自 BPM Microsystems 的白皮书 2008 年 10 月 BPM Microsystems 5373 West Sam Houston Pkwy N. Ste. 250 Houston, Texas 77041 USA Telephone: +1 713 688 4600 目录一、概况 3 1. NAND 闪存的种类3 2. NAND 闪存的架构4 3. 非全页的编程（Partial Page Programming ）5 4. 从 NAND 启动（Booting From NAND ）5 二、 NAND 闪存的可靠性问题6 1. 坏块管理（Bad Block Management ，BBM ）7 2. 坏块管理算法的规范（BBM Algorithm Specification ）8 3. 6 个工厂编程的坏块管理的要素（Six BBM Factory Programming Elements）9 1) 坏块的替换策略（Bad Block Replacement Strategy，BBR ）9 2) 分区（Partitioning ）10 3) 纠错码（Error Correction Codes ，ECC )12 4) 备用区的使用（Spare Area Placement，SAP）12 5) 未用好块的格式（Free Good Block Formatting ）13 6) 动态元数据（Dynamic Metadata ）13 4. 系统举例 13 5. 通用的工厂编程坏块管理方案（Universal Factory Programming BBM Scheme ）16 6. 第三方和客制化的坏块管理方案（Third-party and Custom BBM Schemes ）17 三、对 Managed NAND 编程（Programming Managed NAND ）17 四、 NAND 的序列号（Serializing NAND ）17 五、结论18 附：图表目录图 1 - NAND 闪存的分类3 图 2 - NAND 闪存的架构5 图 3 - SLC (上) vs. MLC (下) 存储单元（cell ）值分布6 图 4 - 传统的芯片编程只需要一个算法，RAW NAND 编程需要两个独立的算法8 图 5 - 跳过坏块的替换策略（Skip Bad Blocks Replacement Strategy）10 图 6 - 预留块区的替换策略（Reserve Block Area Replacement Strategy ）10 图 7 - 由于坏块的存在，分区