氢化非晶硅薄膜的磁控溅射制备及性能研究.pdfVIP

第37 卷 增刊 光 子 学 报 Vol.37 Sup.1 2008 年11 月 ACTA PHOTONICA SINICA November 2008 氢化非晶硅薄膜的磁控溅射制备及性能研究* 潘震，赵青南，刘本锋，赵修建 （武汉理工大学硅酸盐材料工程教育部重点实验室，武汉 430070 ） 摘 要：采用直流磁控溅射方法制备氢化非晶硅（a-Si:H ）薄膜. 用X 射线衍射（XRD ）、NKD7000 W 薄膜分 析仪、傅里叶变换红外光谱仪（FTIR ）、紫外-可见光透射光谱仪（UV-VIS ）测试了薄膜的物相结构、膜厚、 硅氢键和透过率，研究了溅射功率、基片温度和氢气分压对薄膜结构和性能的影响. 结果表明，直流磁控溅 射沉积薄膜工艺能够迅速地沉积氢化非晶态硅薄膜；氢气的引入能够使氢顺利进入生长的膜层，并且生成单 氢键合和多氢键合；a-Si:H 薄膜有良好的可见光透过率. 关键词：直流磁控溅射；a-Si:H 薄膜；沉积速率；氢气分压；