微电子工艺课件第八章.ppt

8.6.9 化学增强的深紫外光刻胶 对于0.35μm以下的工艺，需要采用深紫外光源，由于树脂和DNQ对紫外光的250nm波长都存在强吸收，在DUV区不能很好地使用，这就需要使用化学增强(CA)的光刻胶材料。 在曝光过程中，CA胶吸收光子使光敏酸(PAG)分解，形成少量的酸。这些酸在坚膜过程中，会诱发一系列的化学转化，增强光刻胶在显影液中的可溶性。由于此后的反应是催化反应，在每次化学反应中都会生成酸，可以持续地参加反应。 CA光刻胶的优点： 相对较高的光敏度； 相比于DNQ/树脂光刻胶，CA胶的对比度也较高。 对于0.35μm的工艺，通常会使用混合的光学曝光技术，包括使用i线和248nm的DUV曝光(后者使用单层的CA光刻胶)。 当器件尺寸达到0.25μm时，就需要完成由i线到248nm深紫外光源的过渡。通过采用相转移技术和多层光刻胶技术，248nm的光刻将会广泛应用到小尺寸器件的制备中去。 下一代193nm的光刻所需要的光刻胶，将依然依赖于CA胶。 CA胶的主要问题是胶的成份，由于受气体和衬底的影响使光刻胶污染，对曝光后的后烘条件的敏感度以及在干法刻蚀中抗腐蚀能力降低。 制作一个完整的ULSI芯片需要20-25块不同图形的掩膜版。 传统光刻掩膜版是在石英板上淀积一层铬，用电子束或激光束将图形直接刻在铬层上，形成1X或4X、5X的掩膜版。 8.7 掩模板的制造 石英玻璃的热扩散系数小(5×10-7cm/cm℃)，使石英玻璃板在掩模版刻写过程中受温度变化的影响较小。 石英玻璃对248nm和193nm波长的通透效果是最好的。 8.7.1 石英玻璃板 8.7.2 铬层 在石英玻璃片上淀积一层铬(Cr)，掩膜图形最终就是在铬膜上形成的。选择铬膜是因为铬膜的淀积和刻蚀都比较容易，而且对光线完全不透明。 在铬膜的下方还要有一层由铬的氮化物或氧化物形成的薄膜，增加铬膜与石英玻璃之间黏附力。 在铬膜的上方需要有一层的20nm厚的Cr2O3抗反射层。 这些薄膜都是通过溅射法制备的。使用溅射方法的优点在于淀积的薄膜黏附力好，而且薄膜的厚度均匀性比较好。 8.7.3 掩模板的保护层 为了防止在掩模版上形成缺陷，需要用保护膜将掩模版的表面密封起来，这样就可以避免掩模版遭到空气中微粒以及其他形式的污染。 保护膜的厚度需要足够薄，以保证透光性，同时又要耐清洗，还要求保护膜长时间暴露在UV射线的辐照下，仍然能保持它的形状。 目前所使用的材料包括硝化纤维素醋酸盐和碳氟化合物，形成的保护薄膜厚度为l～2μm。 有保护膜的掩模版可以用去离子水清洗，这样可以去掉保护膜上大多数的微粒，然后再通过弱表面活性剂和手工擦洗，就可以完成对掩模版的清洁。 8.7.4 移相掩模（PSM） 当图形尺寸缩小到深亚微米，通常需要使用移相掩膜(Phase-Shift Mask)技术。移相掩膜与准分子激光源相结合，可以使光学曝光技术的分辨能力大为提高。 移相掩膜的基本原理是在光掩模版的某些透明图形上增加或减少一个透明的介质层，称移相器，使光波通过这个介质层后产生180°的相位差，与邻近透明区域透过的光波产生干涉，从而抵消图形边缘的光衍射效应，提高曝光的分辨率。 移相层材料有两类： ①有机膜，以光刻胶为主，如聚甲基丙烯酸甲脂(PMMA胶)； ②无机膜，如二氧化硅。 8.8 X射线曝光 X射线曝光使用的X射线是用高能电子束轰击一个金属靶产生的，当高能电子撞击靶时将损失能量，而能量损失的主要机理之一是激发原子核内层电子的跃迁，当这些激发电子落回到基态时，将发射X射线。这些X射线形成分立的线谱，其能量取决于靶材料。 X射线源必须在真空下工作，因此X射线必须透过窗口进入到常压气氛中进行曝光。窗口材料对X射线吸收要尽量少，铍是常用的窗口材料。 X射线透过掩模版照射到硅片上的光刻胶完成曝光。掩模材料对X射线的吸收也要少，所以X射线的波长一般选在2～40?，即软X射线区。 8.8.1 X射线曝光系统 目前集成电路中的光刻技术已经达到0.13μm，已接近光学光刻的极限。替代光学光刻的主要有X射线光刻和电子束光刻。 8.8.2 图形的畸变 在X射线曝光系统中，所选X射线的波长小于40?，故衍射对分辨率的影响只有当线宽小于20?时才明显。因此当图形尺寸大于20?，而小于1μm 时，引起图形畸变和影响分辨率的主要原因不是衍射，而是半阴影和几何畸变。 电子束轰击金属靶所产生的X射线，没有简单的反射镜和透射镜能够使它变成平行光，实际是发散型的点光源。 为了减小曝光图形的畸变，只有减小点