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多晶硅薄膜的两步激光晶化技术_曾祥斌.pdf
24 4 V ol . 24 N o . 4
2002 8 P IEZOEL E CT R ICS A COU ST OO PT ICS A ug . 2002
: 1004-2474 ( 2002) 04-03 15-0 3
曾祥斌, 徐重阳, 王长安
( , 430074)
: ,
, ,
, ,
: ; ;
: T N 304. 55 : A
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The Study of Two Step Laser Crystallization Technique
of Polycrystalline Silicon Thin Film
- , - , -
ZENG Xian bin XU Zhon yan WANG Chan an
( D ep t. o Elect ronic Science an d T echnol ogy , Hu azh ong U nivers it y o S cience and T ech nology , W uhan 430074, Ch ina)
Abstract: T he po ly -Si thin ilm w as prepar ed u sing a nov el tw o-st ep laser cry st allization technique. T he t em -
per atur e distr ibutio n and sur ace temper ature o po ly-Si thin ilm during laser cry stallizat ion w as ca lculat ed by so lv -
ing the thermal-t rans er conduction equatio n . T he pr ocess para meters o laser cry st allization o po ly -Si thin ilm
. - -
w ere considered and o pt imized using the calcula ted r esults T he high per or mance po ly Si T F T s w er e achiev ed u s-
ing tw o -step laser cr ystallizatio n technique. T he I -V and tr ans er char acterist ics o po ly -Si T F T s abr icated u sing
tw o-st ep laser cr ystalliza tio n and co nventio nal sing le -step laser cr ysta llizatio n w er e measured . T he reaso n that the
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character istics o po ly Si T FT w er e impr ov ed by t w o step laser cry st allization w a s analyzed
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Key words laser cry s
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