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磁控溅射靶源设计及溅射工艺研究.pdf
( )
第 27 卷 第 1 期 陕西师范大学学报 自然科学版 . 27 . 1
V o l N o
1999 年 3 月 ( ) . 1999
Journal of ShaanxiN o rm al U niversity N atural Science Edition M ar
磁控溅射靶源设计及溅射工艺研究
1 2 2
张建民 , 王 立 , 梁昌慧
( 1 陕西师范大学物理学系, 陕西 西安 710062;
2 咸阳师范专科学校物理学系, 陕西 咸阳 712000)
摘 要: 设计制作了方便实用的圆形直流平面磁控溅射靶源; 用CT —5 型高斯计测
( - 1 - 1
量铝靶面上的磁场分布, 给出靶电压和靶电流随溅射氩气压 3. 0 ×10 ～ 9. 0 ×10
) ( )
Pa 的变化曲线和 3 种不同气压 1. 0, 0. 6, 0. 2 Pa 下的伏安特性曲线; 在玻璃基体上
制备了高纯铝、铜和钛膜. 结果表明, 该靶源可得到最佳磁场分布, 且结构简单、更换
靶材方便、溅射电压和气压低、成膜速度快、基体温升低.
关键词: 磁控溅射; 靶源; 设计制作
( )
中图分类号: O 441 5 文献标识码:A 文章编号: 1999
溅射镀膜是物理气相沉积(PVD ) 的重要方法之一, 它是在真空室中利用荷能离子轰击靶
[ 1 ] (
表面, 使被轰击出的靶材粒子沉积在基片上的成膜技术, 包括二极溅射 、三极 或四极溅
) [ 2, 3 ] [ 4, 5 ] [ 6 ]
射 、磁控溅射 、对向靶溅射 等. 磁控溅射具有基片温升低和成膜快两大特点, 因而在
机械、电子、能源、信息等领域得到广泛应用.
1 磁控溅射的基本工作原理
磁控溅射是在二极溅射的基础上以增加磁场来改变电子的运动方向, 束缚和延长电子运
动轨迹, 从而提高电子对工作气体的电离几率和有效利用电子的能量. 因此, 在形成高密度等
离子体的异常辉光放电中, 正离子对靶材轰击引起的靶材溅射更为有效. 受正交电磁场束缚的
电子, 只能在能量将要耗尽时才能沉积在基片上, 使磁控溅射具有高速、低温两大特点.
电子在电场 E 作用下加速飞向基片的过程中与氩原子发生碰撞. 若电子具有足够的能量
( 约为 30 eV ) 时, 则可电离出A r+ 和另一个电子, 电子飞向基片,A r+ 在电场 E 作用下加速飞
( )
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