ZnO薄膜论文溶胶凝胶法金属绝缘层半导体电致发光Cu掺杂.docVIP

ZnO薄膜论文：溶胶-凝胶法金属-绝缘层-半导体电致发光Cu掺杂 【提示】本文仅提供摘要、关键词、篇名、目录等题录内容。为中国学术资源库知识代理，不涉版权。作者如有疑义，请联系版权单位或学校。 【摘要】ZnO是一种多功能宽禁带的半导体光电材料，室温下禁带宽度为3.37eV，激子束缚能高达60meV，不仅具有良好的导电特性和优良的光电特性，而且其内部还具有许多本征缺陷，可以发出多种颜色的光，有望开发出多种颜色的发光器件，因此受到了国内外学者的广泛关注。电致发光器件是一种能将电能直接转换为光能的发光器件，具有响应速度快、功耗低、重量轻、成本低、器件结构简单、环保等优点，因而被广泛应用于平板显示和民用照明领域。本论文介绍了ZnO薄膜、Cu:ZnO薄膜及薄膜电致发光器件的材料特性、应用机理和研究进展，并详细介绍了实验的技术细节。利用溶胶-凝胶法制备了ZnO薄膜，通过对其结构、表面形貌、光致发光谱及透射-吸收谱的研究，选择出制备高质量的ZnO薄膜的实验条件，并采用传统的MS器件结构和MIS器件结构构造了ZnO薄膜的发光器件，探索其电激发发光现象，且运用KEITHLEY2400和PR650光谱光度/色度计对器件进行了I-V特性及电致发光谱的测试，并对测试结果做了分析和讨论。另外，论文还通过溶胶-凝胶法制备了Cu掺杂的ZnO薄膜样品，探索了制备高质量薄膜及蓝光发射强度的实验条件。得到以下结论：(1)溶胶浓度为0.6mol/L、预热温度为200℃时、薄膜厚度为258nm、退火处理温度为500℃时制备的ZnO薄膜表面致密均匀、结晶质量较高、为六角纤锌矿结构、具有优良的光学性能；(2)在室温下通过对MS及MIS结构的ZnO薄膜发光器件施加直流电压，暗室中观察到可见光的发射；(3)绝缘层不仅起到保护器件被击穿的作用，还通过提供空穴提高了器件的发光亮度和效率；(4)适当的Cu掺杂浓度可以获得结晶质量较高的ZnO薄膜，在低温退火处理下可以得到强度较高的蓝光发射峰。 【关键词】ZnO薄膜；溶胶-凝胶法；金属-绝缘层-半导体；电致发光；Cu掺杂； 【篇名】ZnO(Cu:ZnO)薄膜的制备及其电致发光的探索 【目录】ZnO(Cu:ZnO)薄膜的制备及其电致发光的探索 摘要 3-4 ABSTRACT 4-5 第一章 绪论 8-20 1.1 引言 8-9 1.2 ZnO(Cu:ZnO)薄膜材料 9-13 1.2.1 ZnO的结构、性质 9-11 1.2.2 ZnO薄膜的应用 11 1.2.3 Cu:ZnO薄膜的性质及应用 11-12 1.2.4 Cu:ZnO薄膜的研究进展 12-13 1.3 薄膜电致发光器件 13-16 1.3.1 薄膜电致发光的分类及电致发光薄膜的制备方法 13-14 1.3.2 薄膜电致发光器件的应用 14-15 1.3.3 薄膜电致发光器件的研究现状和存在的问题 15-16 1.4 ZnO电致发光器件的研究进展 16-19 1.5 本论文的研究目的与工作安排 19-20 第二章 薄膜电致发光器件发光机理及光电特性 20-27 2.1 薄膜电致发光器件发光机理 20-24 2.1.1 低场注入式电致发光机理 20 2.1.2 高场下电致发光机理 20-24 2.2 薄膜电致发光主要的光电特性 24-27 2.2.1 发光效率的测量 24-25 2.2.2 亮度-电压测量 25-26 2.2.3 电致发光的老化 26-27 第三章 样品的制备与测试 27-41 3.1 溶胶-凝胶法制备ZnO(Cu:ZnO)薄膜 27-35 3.1.1 实验仪器与材料 27-28 3.1.2 溶胶-凝胶技术及原理 28-30 3.1.3 ZnO薄膜及器件的制备 30-35 3.2 Cu:ZnO薄膜的制备 35 3.3 样品的结构与性能表征 35-41 3.3.1 X射线衍射(XRD)测试 36-38 3.3.2 扫描电子显微镜(SEM)测试 38-39 3.3.3 光致发光谱(PL)测试 39 3.3.4 透射-吸收光谱测试 39-40 3.3.5 其它测试 40-41 第四章 实验结果与讨论 41-67 4.1 溶胶浓度、预热温度对ZnO薄膜表面形貌的影响 41-45 4.1.1 溶胶浓度对ZnO薄膜表面形貌的影响 41-43 4.1.2 预热温度对ZnO薄膜表面形貌的影响 43-45 4.2 薄膜厚度对ZnO薄膜样品结构和性能的影响 45-51 4.2.1 不同薄膜厚度的ZnO薄膜样品的XRD结构与分析 45-47 4.2.2 不同薄膜厚度的ZnO薄膜样品的透射-吸收结果与分析 47-49 4.2.3 不同薄膜厚度的ZnO薄膜样品的SEM结果与分析 49-51 4.3 退火温度对ZnO薄膜样品结构和光学性能的影响 51-56 4.3.1 不同退火温度ZnO