SiGe+HBT集电结空间电荷区渡越时间模型.pdfVIP

2005年11月 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 珠海 SiGe HBT集电结空间电荷区渡越时间模型 胡辉勇张鹤鸣戴显英宣荣喜俞智刚王喜媛 (西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室，西安 摘要：集电结空间电荷区的渡越时间是影响晶体管交流放大系数和频率特性的重要参 数。本文分三种情况求解了SiGeHBT集电结耗尽层宽度，建立了不同集电极电流密度、 包括基区扩展效应条件下的集电结空间电荷区渡越时间模型，并利用MATLAB对该模型进 行了模拟与分析，定量地研究了不同的集电结反偏电压、集电区掺杂和宽度对集电结空间 电荷区渡越时间的不同影响。 关键词：SiGeHBT集电结空间电荷区渡越时间 1．引言 载流子在集电结空间电荷区的渡越时间是影响晶体管交流放大系数和频率特性的重要 参数。本文基于npn型双异质结SiGeHBT交流载流子的输运过程，研究建立了不同集电 极电流密度、包括基区扩展效应条件下的集电结耗尽层渡越时间模型，并且模拟分析了集 电结空间电荷区渡越时间与SiGe HBT器件结构参数及集电极电流密度之间的关系。只要