SiOx薄膜的制备及其发光特性的研究.pdfVIP

2005年12月 第十三届全国电子束·离子束-光子束学术年会 湖南·长沙 SiOx薄膜的制备及发光特性研究木 李群1 粱坚1 吴雪梅2 诸葛兰剑2 (1、东华理工学院物理系江西抚州344000 2、苏州大学物理科学与技术学院江苏苏州215006) 摘要：本论文采用双离子束溅射沉积技术制备了非晶的Si—Si02薄膜，XPS的测试表明si是以单 原子或低价氧化物的形态存在于薄膜内；在波长为240nm紫外光的激发下，室温及1000℃退火后Si— 心以及其他缺陷所形成的发光中心。 关键词：SiO。薄膜双离子束溅射光致发光 中图分类号：TN304．055 文献标识码：A 1、引盲 多孔硅。室温下多孔硅有很强的光致发光现象，发光波长在可见光范围。这一现立即在科技界引起极 大的轰动，掀起了一股多孔硅研究热潮。 近些年对硅基薄膜发光的研究已逐渐转向在SiOz介质膜中注入si、Ge纳米颗粒的发光。人们发 现镶嵌在Si02薄膜中的si、Ge等半导体为几个纳米尺寸时，可以在室温下出现光致发光现象[2．J,41。 膜的微观结构和原子的化学状态进行了分析。在此