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2014台达电力电子新技术研讨会 PERET
适用于串联电路的
高压IGBT暂态机理模型
清华大学电机系
电力电子与新能源技术研究室
姬世奇
2014年5月
主要内容 PERET
1. 引言
2. 现有高压IGBT模型介绍
3. 串联高压IGBT模型改进
4. 串联高压IGBT模型的实验验证
5. 总结
2
1. 引言 PERET
器件串联：低电压等级开关实现高电压等级变换器
Si-IGBT最高电压等级为6.5kV
变换器电压等级要求非常高（ABB ±500kV HVDC-Light ）
串联器件均压
实现暂态均压的辅助电路和控制策略设计
串联高压IGBT暂态分析
高压IGBT模型
现有IGBT模型的实现及尿限性
如何建立描述串联IGBT暂态的模型
3
2. 现有高压IGBT模型介绍 PERET
各个元胞一致性很好
建模等效于一个大元胞
发射极 门极
发射极
N+ N+
P+ P+
两电平变换器 耗尽层 多个元胞并联
N-
P+
集电极
空穴电流 电子电流
IGBT模块 三个芯片并联
4
2. 现有高压IGBT模型介绍 PERET
基区结构：PT、NPT、FS
门极结构：Planar、Trench
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