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微波集成电路及其 CAD 概念综述 第 1 章 绪 论 [1] 微波电路开始于 40 年代应用的立体微波电路 ，它是由波导传 输线、波导元件、谐振腔和微波电子管组成。随着微波固态器件的发 展以及分布型传输线的出现，60 年代初，出现了平面微波电路，它 是由微带元件、集总元件、微波固态器件等利用扩散、外延、沉积、 蚀刻等制造技术将这些无源微波器件和有源微波元件制作在一块半 [2] 导体基片上的微波混合电路 ，即 HMIC 。它属于第二代微波电路。 与以波导和同轴线等组成的第一代微波电路相比较，它具有体积小、 重量轻等优点，避免了复杂的机械加工，而且易与波导器件，铁氧体 器件连接，可以适应当时迅速发展起来的小型微波固体器件。又由于 其性能好、可靠性强、使用方便等优点，因此即被用于各种微波整机， [3] 并且在提高军用电子系统的性能和小型化方面起了显著的作用 。 70 年代，GaAs 材料制造工艺的成熟，对微波半导体技术的发展 有着极为重要的影响。GaAs 材料的电子迁移率比 Si 高七倍，而且漂 移速度也比 Si 高的多，这种高频高速性能是由其材料特性决定的。又 由于 GaAs 材料的半绝缘性(其电阻率可达 105 Ω/cm)可以不需要采用 特殊的隔离技术而将平面传输线，所以无源元件和有源元件集可以成 在同一块芯片上，更进一步地减小了微波电路的体积。 正是由于 GaAs 技术的问世与 GaAs 材料的特性而促成了由微波 集成电路向单片集成电路的过渡。与第二代的微波混合电路 HMIC 相 比较，MMIC 的体积更小、寿命更长、可靠性高、噪声低、功耗小、 工作的极限频率更高等优点。例如在在 HMIC 与 MMIC 就高增益放大 [4] 器的比较中可以发现（见表 1-1） ：放大器的尺寸，MMIC 元件数， 连线接头数均比要 HMIC 少，且二者的电器性能相近，MMIC 的极限 频率和增益要比 HMIC 大。因此，受到广泛的重视。尽管 MMIC 技术 发展很快，但至今为止仍然存在这某些互联困难。某些性能指标的常 规电路元件不能制造，开发费用高等问题。我国 MMIC 受到投资不足， 技术水平低等条件的限制，发展一直比较缓慢。相对而言 MHMIC 技 1 — — 《微波集成电路》课程专题讲座之一 2003 年 3 月 哈工大 吴群 术则克服了这些问题，它具有许多突出的优点：电路的体积比传统的 微波混合电路大大缩小、设计灵活、开发成本低、周期短、生产效率 高。为微波混合集成电路进行低成本的大规模生产提供了有效的技术 [5] 途径 。正是因为如此，国外 MHMIC 技术也获得了迅速的发展。 表 1-1 高增益放大器 HMIC 与 MMIC 的比较 HMIC MMIC 频率(GHz) 8 ―18 频率(GHz) 7.5 ―18.5 噪声系数(dB) 4.5(典型值) 噪声系数(dB) 5.2(典型值) 增益(dB) 40 ±2 增益(dB) 57 ±1.5 线接头数 400 线接头数 14 FET 数 16 FET