256元InGaAs线列红外焦平面及扫描成像.pdfVIP

第27卷第1期 红外与毫米波学报 V01．27，No．1 2008年2月 Millim．Waves Februaby，2008 J．Infrared 文章编号：1001—9014(2008)01-O007—05 256元lnGaAs线列红外焦平面及扫描成像 白 吕衍秋1’3，韩冰1”， 云1’3，徐萌1…，唐恒敬1’3， 孔令才1， 李 雪1， 张永刚2， 龚海梅1 (1．中国科学院上海技术物理研究所，上海200083；2．中国科学院上海微系统与信息技术研究所，上海200050； 3．中国科学院研究生院，北京100039) 摘要：报道了用分子束外延(MBE)方法生长掺杂InGaAs的PINInP／InGaAs／InP外延材料，通过台面制作、硫化处 理、Zr·S／聚酰亚胺双层