AlN和AlNBN层状复合陶瓷的高温氧化行为.pdfVIP

第38卷 第1l期 稀有金属材料与工程 V01．38．No．11 2009短 RAREMETALMATERIALSAND November2009 11月 ENGINEERING 张涛1，金海云2，赵继峰1，金志浩1 (1．西安交通大学金属材料强度国家重点实验室，陕西西安710049) (2．西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室，陕西西安710049) 摘 分为缓慢增重、快速氧化增重和抛物线增重3个阶段，由XRD分析及扫描电镜观察发现，在130012氧化30h后，试 样已不存在BN相，并且由于界面层BN的氧化挥发而残留有微孔。 关键词：A1N／BN；层状复合陶瓷；性能：高温氧化 中图法分类号：TQ174．0 文献标识码：A 文章编号：1002．185X(2009)11-2008—04 对单相AIN和AIN／h．BN层状陶瓷的氧化动力学曲线 氮化铝(A1N)和AIN／h．BN层状复合陶瓷均具有高热 导率、低膨胀系数、可靠的电绝缘性能、低的介电常数 进行了研究。 和介电损耗、良好的抗热冲击及抗腐蚀性、与多种熔盐 1 实 验 和熔融金属不浸润。作为高温结构材料很有应用潜力， 同时又是新一代电子基板与封装材料。由AIN层和BN 氧化试样采用相同烧结工艺制备的AIN／h—BN层 层交替排列组成的AIN／BN层状陶瓷在室温下具有高的 mm×4 状复合陶瓷和单相AIN陶瓷[¨，尺寸为3 minxl0 断裂韧性、强度和非灾难性断裂行为【l】。AIN／BN复合陶 瓷不仅具有优良的力学性能、介电特性，还具有良好的 为45 lam，弱夹层h—BN的厚度为5lam。 可加工性能，因而适合于制备各种形状复杂、精度要求 高温氧化试验在硅钼棒电阻炉中进行，将试样放在 高的元器件【2-4]。但是和AIN相比，h．BN的抗氧化性较氧化铝托盘上垫高、 悬空。氧化温度分别为1000和 差，因而复合陶瓷在高温使用时存在氧化，不仅影响使 1300℃，经不同时间的氧化保温后，试样冷却至室温， 用寿命，而且影响其性能【5~8】。因此对层状A1N／BN复合 在电子天平上精确测定在氧化过程中的质量变化： 陶瓷氧化行为的研究具有重要的工程应用价值。 Am=m—mo (3) 国内外学者对A1N陶瓷在各种氧化环境中的氧化 式中，m为氧化前试样质量，m。为氧化后试样的质量， 进行了研究，其结果很不一致，还没有形成统一的认 根据氧化前后质量的变化Am及总表面积S可以计算 识，一般认为在空气中AIN的初始氧化温度为 出其氧化增量AW： 700—800℃，氧化产物是a—A1203。文献【9，10】认为，AW=(Am／S)x100％ (4) AIN陶瓷在1300℃氧化时，氧化曲线服从抛物线规 2结果与讨论 律，在氧化气氛中AIN陶瓷的氧化按式(1)进行： (1) 2AIN(s)+7／202(g)=A1203(s)+2N02(g) 当温度高于900℃时，h．BN开始和氧发生明显反应：在1000℃空气中氧化不同时间的试样单位面积质量 2BN+7／202(g)=B203(s)+2