C 掺杂浓度对 ZnO 薄膜电学和结构的影响.pdfVIP

: 卞 萍 等 掺杂浓度对 薄膜电学和结构的影响 　 C ZnO ０７０５７ 文章编号: ( ) １００１-９７３１ ２０１４ ０７-０７０５７-０４ C掺杂浓度对ZnO 薄膜电学和结构的影响∗ , , ,, ,, , , １ ２ １ ２ １ ２ ３ １ ２ ３ １ ２ １ ２ , , , , , 卞 萍 孔春阳 李万俊 秦国平 张 萍 徐 庆 　 　 　 ( , ; 重庆师范大学 物理与电子工程学院 重庆 １． ４０１３３１ , ; , ) 重庆市光电功能材料重点实验室 重庆 重庆大学 物理学院 重庆 ２． ４０１３３１ ３． ４０１３３１ : . , 摘 要 采用射频磁控溅射法在石英玻璃衬底上成 替代 位 显然 掺杂对 薄膜的导电性能有 　 　 Zn C ZnO , , , 功制备了不同 掺杂浓度的 薄膜 借助于 着重要的影响 为了弄清 薄膜中 的存在形式 C ZnO ∶C X ZnO C ( )、 ( )、 射线衍射仪 霍尔测试 射线光电子谱 本文采用射频磁控溅射法制备不同浓度的 掺杂 XRD Hall X C ( ) ( ) , 、 XPS 和拉曼散射光谱 Raman 等测试手段系统研究 ZnO 薄膜 并结合 Hall 测试 光电子能谱分析以及拉 、 , 了 薄膜的结构 电学以及拉曼特性并分析了 在 曼测试等手段 从实验上发现 在 中主要以替代 ZnO C C ZnO . , , . ZnO 薄膜中存在形式 结果表明 所有薄膜都呈纤锌 Zn位的形式存在 并显著提高 ZnO 薄膜的导电性能 . 矿结构并具有高度的 轴