CdSe薄膜的制备及性能表征.pdfVIP

第40卷第1期 人 工 晶 体 学 报 v01．40 No．1 —：三Q!!堡兰旦 』Q堕旦塑垒垦Q!璺!塑!旦垦旦gg墨兰璺!垒竖 兰!坠型!垡!兰Q!! CdSe薄膜的制备及性能表征 黄 平1’，李 婧1’2，梁 建1’3，赵君芙1’3，马淑芳1…，许并社1，3 (1．太原理工大学新材料界面科学与3-程教育部重点实验室，太原030024；2．太原理工大学物理系。太原030024； 3．太原理3-大学材料科学与3-程学院，太原030024) (uV—VIS·NIR)分光光度计、荧光分光光度计(PL)对不同沉积电压下所制备的薄膜的晶体结构、形貌及光学性能进 行分析表征。结果表明：所制备的薄膜为立方相CdSe，呈纳米颗粒状，部分粒子表现出不均匀团聚。紫外吸收光谱 的吸收峰较体相CdSe有较大的蓝移，且导致禁带宽度发生改变，表现出量子尺寸效应。样品发射光谱表现出荧光 现象，且单色性好。适当的沉积电压对CdSe薄膜的形貌和质量起关键作用，同时讨论了其反应机理。 关键词：电化学沉积；CdSe薄膜；禁带宽度；沉积电压 中图分类号：0484 文献标识码：A andCharacterizationofCdSeThinFilms Preparation HUANG Pin91’，LI如曙1”，HANGJianl”，ZHAOJun-ful”，MA Shu-fan91”，XUBing—shel’3 of in InterfaceScienceand AdvancedMaterialsof of (1．KeyLaboratory Engineering MinistryEducation， Taiyuan of of of UniversityTechnology，Taiyuan030024，China；2．DepartmentPhysics，TaiyuanUniversityTechnology， Taiyuan ofMaterialsScienceand of 030024，China；3．College Engineering，TaiyuanUniversityTechnology，Taiyuan030024，China) October 29November (m蒯82010，accepted 2010) thinfilmswerefabricatedonITO Abstract：UsingCdS04，H2 Na2 materials，CdSe Se03，andS04鹪raw substrateatroom electrochemicalina methodtwo-electrode glass temperatureby system．Thesamples werecharacterized