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CuAg导电薄膜与高阻CdZnTe的接触性能研究.pdf
孙金池 等 导电薄膜与高阻 的接触性能研究
Cu Ag CdZnTe 1189
/ 导电薄膜与高阻 的接触性能研究。
Cu Ag CdZnTe
孙金池!刘正堂!张兴刚!崔 虎!李阳平
西北工业大学 材料学院 陕西 西安 710072
摘 要: 采用射频磁控溅射法在高阻 Cd Zn Te 通过退火及表面处理来试图进一步改善接触性能
0.9 0.1
上制备了 导电薄膜!通过测量 曲线来评价
Cu Ag I-V
2 实 验
接触性能#讨论了溅射功率和衬底温度对接触性能的
影响!结果表明在两种不同功率下制备的薄膜不经过 本实验所采用的Cd Zn Te是通过垂直布里奇
0.9 0.1
热处理已具有良好的欧姆接触性能!随着衬底温度的 曼法经过坩埚加速旋转技术制备的 在镀制之前表面
升高欧姆接触性能有所下降#通过对衬底的表面处理 经过研磨 双面抛光 然后用丙酮清洗 除去其表面的
降低了表面漏电流#对试样进行退火处理使接触性能 氧化层及油质 再用酒精清洗 用 BM 腐蚀液 5%Br
有所改善!退火温度在 300 时的接触性能要好于 甲醇 和 腐蚀液 乙二醇 甲醇 进
+ LB 2%Br+20% +
420 #利用红外透过率来验证了退火温度范围及所 行表面处理化学抛光 然后用甲醇和去离子水冲洗
选择加热衬底温度对高阻 Cd Zn Te 衬底没有影 在真空气氛下 -3 对接触层进行不同温度
0.9 0.1 ＜ 710 Pa
响# 的退火处理 10min 在此真空下对没有镀膜的衬底进
关键词: / 导电薄膜 晶体 接触 行 及 的退火来验证镀膜时衬底加热是
Cu A Cd Zn Te 200 300 31
g 0.9 0.1
磁控溅射 否对衬底有影响
中图分类号: 文献标识码: 磁控溅射是在 型多功能超高真空磁控溅
TN305.92 A JGP560
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