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CuPcH2PtCl6有机半导体毒气传感器的制备与性能.pdf

V01.39 第39卷增刊 天津大学学报 Suppl of 2006年6月 J帆瑚_alTi锄曲1UIlive璐ity Jun.2006 CuPc/H2PtCl6有机半导体毒气传感器的制备与性能 施云波1,季惠明2,张洪泉1,李月1,郭建英1 (1.哈尔滨理工大学测控技术与通讯工程学院,哈尔滨150080; 2.天津大学材料科学与工程学院,天津300072) 摘要:针对有毒有害气体的监测问题,采用有机合成工艺制备了cuPc有机半导体材料,并对其进行杂化处理和 电极设计,形成了具有较佳性能的毒气传感器.以对甲基苯酚、4-硝基邻苯二睛为原材料,以N,N-二甲基甲酰胺为 溶剂,在N:保护和碳酸钾的催化作用下合成酞菁分子碎片,再以共溶技术合成了4取代对甲苯氧基cuPc.然后,按 极结构结合真空镀技术形成气敏薄膜型传感器.质谱和红外吸收光谱分析验证了合成工艺路线的正确性.电子扫 描观察了多孔电极和气敏膜的微观形貌.气敏性能测试表明,cuPc/H:Ptcl。对cl:和H:s等有毒气体有较好的敏 感性和选择性. 关键词:cuPc/H2Ptcl。;杂化;有机半导体;毒气传感器 中图分类号:TB33 文献标志码:A 文章编号:0493—2137(2006)增刊-0345一04 andChar犹teristicsof B嬲ed Preparation CllPc/H2PtCl6 P0isoIm吣Gas Semiconductor Se璐or OrgaIIic SHI Yun-b01,JIHui—min92,ZHANGHong—quanl,UYuel,GUOJan—yin91 of0bserve肌dCon呐l Communication (1.School Technology舳d En画neering, Harbin ofScience明d UniVersity Technolog)r,Harbin150080,China; 2.schoolofMaterialsscience粕d En西neering,Ti粕iinunivers畸,Ti矗jin300072,china) materiali8 CuPcbased 8emiconductor Abst阻ct: organic preparedusing poison— template_ba8ed印pmach,粕d ous 8en80rwithfine ismade electrode m01ecule ga8 ped.o肌ance thmugh design.First,phthalocyaninefh昏nent is and4·Nitr

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