ECR-PECVD制备n型微晶硅薄膜的研究.pdfVIP

39卷第4期 人 工 晶 体 学 报 v01．39No．4 OFSYNTHETICCRYSTALS 2010年8月 JOURNAL AugLlst，2010 ECR．PECVD制备n型微晶硅薄膜的研究 张学宇1,2，吴爱民1,2，冯煜东3，胡 娟1,2，岳红云1，一，匝回1，4 (1．大连理工大学三柬材料改性教育部重点实验室，大连116024；2．大连理工大学材料科学与工程学院，大连116024； 3．兰州空间技术物理研究所表面工程技术国家级重点实验室，兰州730000；4．中国科学院沈阳金属研究所，沈阳1t0016) 摘要：用电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积(ECR—PECVD)的方法制备了磷掺杂微晶硅薄膜材料。通过 Hall，Ranlan光谱和XRD的测试分析，研究了衬底温度和磷烷流量对掺杂薄膜组织结构和电学性能的影响。根据 AFM照片分析了薄膜的表面形貌，进而推测了薄膜的内部组成。实验发现：衬底温度在250℃时，磷烷的加入会大 大降低薄膜的晶化率。衬底温度提高到350℃后这种影响明显下降。薄膜的载流子浓度和电导率受薄膜晶化率 影响明显，衬底温度的升高对薄膜电学性能提高有较大帮助。 关键词：ECR-PECVD；磷掺杂；微晶硅薄膜；霍尔测量 中图分类号：0484 文献标识码：A of Si：HFilmsECR-PECVD Preparationn-typeMicrocrystai by ZHANG Ai—minl’2，FENGYu—don93，HUJuanl’2，YUE Xue．yul”，WU ttong—yunl’2，I型坐型一 andElectron 0f of ofMaterialsModification Beam，MinistryEducation，Dalian (1．KeyLaboratory bykr，lon UniversityTechnology， Dalian ofMaterialsScienceand of 116024．China；2．School Engineering，DalianUniversityTechnology，Dalian116024，China； ofSurface Instituteof 3．NationalL丑boratory Engineering，1．{mzhouPhysics，Lanzhou730000。China； Key of 1 4．InstituteofMetalResemeh．Chinese 10016，China) AcademyScienees，Shenyang 27March (Received18January20lO，accepted2010) siliconfilmwas electron resonance Abstract：Phosphorus—dopedmicrocrystal preparedby cyclotron enhancedchemical