Eu3+、Ga3+共掺杂SiO2基质材料的制备及其发光性质.pdfVIP

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2015-08-31 发布于湖北
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Eu3+、Ga3+共掺杂SiO2基质材料的制备及其发光性质.pdf

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Eu3+、Ga3+共掺杂SiO2基质材料的制备及其发光性质.pdf

第24卷第4期无机化学学报 V01．24No．4 OFINORGANICCHEMISTRY 571—575 2008年4月 CHINESEJOURNAL Eu3+、Ga3+共掺杂Si02基质材料的制备及其发光性质王喜贵★ 于振友娜米拉薄素玲 (内蒙古师范大学化学与环境科学学院，呼和浩特010022) 属于非晶态。800℃退火后样品的主要结构仍为SiO：的网状结构。400℃退火的样品在393am激发下发射光谱显示了Eu3．的特征发射光谱，产生3条明显谱带，分别是576 nm(5Dr7内，588nm(SD02F,)，612nm(D03F2)。588 11111处发射较强蓝后发生猝灭。这是因为发光中心Eu3*的化学环境由于掺入Ga3+离子而发生了改变。Ga3+的共掺杂使材料在460 光，在同一材料中实现了蓝色和红色的共发射。材料在460nlll处蓝色荧光的强度随激发波长的增大而先增强后减弱。Ga如或 Ep的掺入量不同时。除发射强度不同外．材料的发射谱图基本相同。通过实验还确定800℃的退火温度为最佳退火温度。关键词：溶胶一凝胶方法；Eu如和G矿共掺杂Si02发光材料；发光性质文献标识码：A 文章编号：1001-4861(2008)04-0571-05 中图．分类号：0613．6．．2；0614．34 G矿 andLuminescenceofEC+Ionand Preparation Properties Ion Materials Si02 Co-doped WANGXi-Gui。YUZhen—YouNAMilaBO Su-Ling Normal (CollegeofChemistryEnvironmentScience，InnerMongoliaUniversity,Hohhot010022) Abstract：Ga3+and materialswere methodandthestructureofmaterials Si02 preparedbysol—gel Eu3+CO—doped materialsarein and were IRandXRD resultsindicatethatthe amorphousphase investigatedby techniques．The the netstructureisstillobservedin annealedat800℃．The showedthecharacteristic Si02 samples sample emissionofEu3+at576 excited393am．Anditisfound am(5Do-7固，588am(誓珏7F0，612nnl(W囝whenby that