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第25卷第11期 无 机 化 学 学 报 V01．25No．11 OFINORGANIC 2009年11月 CHINESEJOURNAL CHEMISTRY 1939—1946 Ga掺杂纳米Ti02薄膜的制备及其光电特性 刘贵昂★，1,2张军1,2何学敏1 (1湛江师范学院物理科学与技术学院，2广东省高校新材料工程技术开发中心，湛江524048) 摘要：利用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备了Ga掺杂的TiO，薄膜．并在真空中于550℃下进行了2h的退火处理。采用 XRD、SEM、UV．Vis和PL光谱对薄膜进行了表征。XRD结果提示，在溅射功率为200W，室温下制备的TiO：薄膜具有混晶结 构，且退火后的晶粒有长大的趋势。SEM分析表明。掺Ga薄膜的颗粒分布得较为均匀并存在尺寸变小的趋势，且出现有利于提 高光催化性能的岛状结构，其平均颗粒尺寸为50姗。UV．Vis透过谱指出，掺Ga后的TiO：薄膜吸收边发生了明显红移，且退火 后进一步红移了10—50岫。通过接触角的测量与计算可知，550℃退火2h后的薄膜具有良好的亲水性。光催化降解结果表明： 样品具有较强的光催化能力。当用低功率(15W)紫外灯照射8h后。Ga掺杂的纳米Ti0：薄膜样品对亚甲基蓝溶液的降解率最 高可达到71．8％。 关键词：纳米Ti02薄膜；Ga掺杂；退火；红移；亲水性；光催化 中图分类号：0614．37+l；0614．41+1文献标识码：A 1-1939-08 文章编号：1001-4861(2009)1 Thin andElectrical Nano-Ti02 Properties Ga-Doped Films：Preparation，Optical LIU Junl。HEXue—Minl Gui-Ang+，1。ZHANG Scienceand Normal New (1Physics TechnologySchool,ZbanjiangUniversity,2Deve却rrtentCenterfor Materials inUniversities of 524048) EngineeringTechnology Guangdong,Zhanjiang,Guangdong Abstract：The thinfilmswere on substrateRadio Ti02 gallium-doped depositedglass by treatedinvacuumfor2hat550℃．Thefilmswerecharacterized XRD，SEM，UV· sputtering，andannealing using Vistransmission resultsshowthatthe thinfilms tomixed with spectraoscopy．XRD Ti02 change crystalsputtering 200Watroom the have