GDARE法制备不同厚度ZnO薄膜的热电性质.pdfVIP

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2015-08-31 发布于湖北
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真空科学与技术学报第3l卷第3期 OFVACUUMSCIENCEANDn犯HNOLOGY CH叫EsEJOURNAL 2011年5、6月 GDARE法制备不同厚度ZnO薄膜的热电性质孙海涛1 李成武1 陆慧¨ 方彬2林贤1，王艳南3潘孝仁1 (1．物理系；2．核物理研究所；3．材料科学与工程学院华东理工大学上海2(X)237) ThermoelectricofDifferentThicknessZnOFilmsGrownGas Property by ActivatedReaction Discharge Evaporation XiltOl它111 SunHaita01，Li Bin2，Lin Yannan3，Pan Cheng咖1，LuHui卜，Fang Xianl，Wang Nuc／ear (1．A舯删ofPhysics；2．1na／tuteof Phys／cs； Ch／na 3．boo／oyMater／a／s访髓and勖驴咖，EastUn／ter奶,of／en俚andT∞_hno／ogy，Shangha／21)0：237，Ch／na) The reaction AbslzaetZnOfilmswere depoeitedbygasaisch嘴activatedevaporation(GDAj砸)ongl躺sub一 Oilits micr06tructuresofthe ofthe eonditiomthermoelectricwe陀studied．，111e 8tmtc8．7n陀impacts property dep06ition filmswe陀characterizedwith diffractionandatomicforce showthatthefilmthickness X-my microscopy．‰results affectsitsmicrostructuresand thethicknessofthefilms instance，as increased，the strongly properties．For nano-grains from nnl a thec—axisnormaltothesurface． withsire 30—70 andexhibit v,uyi,lg grew preferredg