HfTiO氮化退火对MOS器件电特性的影响.pdfVIP

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$z84第3期固体电子学研究与进展 V01．28，N。．3 2008年9月 RESEARCH＆PROGRESSOFSSE Sep．，2008 HfTiO氮化退火对MOS器件电特性的影响’ 季峰1徐静平，张洪强1黎沛涛2李春霞z官建国s (1华中科技大学电子科学与技术系．武汉，430074)(2香港大学电机与电气工程系，中国．香港) (3武汉理工大学新材料研究所材料复合新技术国家重点实验室，武汉，430070) 2007—04—20收稿．2007—07—06收改稿件表现出优良的电特性．即低的界面态密度、低的栅极漏电和高的可靠性。根据MOS器件栅介质(HfTiON／HfTi．行淀积后退火处理的HfTiON的介电常数达到28。关键词：铪钛氧化物；高k栅介质；氮化；淀积后退火中图分类号：TN386．1；TN305．2文献标识码：A 文章编号：1000—3819(2008)03．330—04 InfluenceofNatridationofHfTiOon Annealing Electrical ofMOSDevice Properties JI XU ZHANG LAIPuit02LIChunxia2GUAN Fen91 Jingpin91 Hongqian91 Jiangu03 Electronic (1Dept．of Univ．ofScienceand Science＆Technology，Huazhong ofElectrical8LElectronic CDepartment of Engineering，theUniversityHongKong．HongKong．CHN) QStateKey ofAdvanced forMaterials and Laboratory Technology Synthesis Processing， Wuhan Universityof SconceTechnology，Wuhan，430070，CHN) Abstract：HfTiOdielectricisfirst on Siwafer method． gate deposited throughto—sputtering The of influences and post—deposition ambientsonthe annealing(PDA)inN0，N20，NH3N2 electrical of device MOS arestudied．ItisfoundthatN0一annealedexhibits properties sample electrical