LaNiO3缓冲层对化学溶液法制备的Pb(Mg13Nb23)O3-PbTiO3薄膜的结构与电学性能的影响.pdfVIP

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2015-08-31 发布于湖北
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LaNiO3缓冲层对化学溶液法制备的Pb(Mg13Nb23)O3-PbTiO3薄膜的结构与电学性能的影响.pdf

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LaNiO3缓冲层对化学溶液法制备的Pb(Mg13Nb23)O3-PbTiO3薄膜的结构与电学性能的影响.pdf

37卷第2期人工晶体学报 v01．37 No．2 ：兰塑!笙兰旦』Q堕垦塑垒垦 Q!墨!!婴兰卫生』墅坚坚一一生堕兰!墅．缓冲层对化学溶液法制备的 LaNi03 Pb( M91／3Nb2／3)03一PbTi03 薄膜的结构与电学性能的影响刘爱云 (上海师范大学物理系，上海200234) 底上引入缓冲层LaNiO，(LNO)和没有引入缓冲层LNO所制备的PMNT薄膜结构及电学性能进行了比较和研究。 x射线衍射测试结果表明：直接在Pt／TiO：／SiO：／Si衬底上所制备的PMNT薄膜含有大量的烧绿石相，且薄膜呈现薄膜呈现(100)择优取向。通过铁电和介电性能测试表明：当在Pt／TiO：／SiO：／Si衬底上引入缓冲层LNO后，所制备的PMNT薄膜的剩余极化和介电常数也都得到了较大提高。关键词：LNO缓冲层；PMNT薄膜；烧绿石相中图分类号：0484 文献标识码：A Effectof Buffer ontheStructureandElectrical LaNi03 Layer of PropertiesPb【Mgl／3Nb2／3)03PbTi03 ．ThinFilms ChemicalSolutionMethod Depositedby LIU Ai-yun of Normal (DepartmentPhysics，s蝴aiUniversity，ShaTIgIlai2(10234，China) 10 ’(ReceivedSeptember2007) films OH substrateswith Abstract：92％Pb(MgI／3Nb∽)03-8％PbTi03(PMNT)thinPt／Ti02／Si02／Si andwithouta havebeen chemicalsolutionmethod． LaNi03(LNO)bufferedlayer preparedusing Structuresandelectrical ofthefilmshavebeen and 11)一 properties investigatedc而pared．Highly(t PMNTthinfilmswith amountsof areobtainedonbarePtelectrodes．On oriented some pyrochlorephase the PMNTthinfilmswith onPtelectrodes contrary，(10