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NbA1- AlOxNb隧道结的制备研究.pdf
低温与超导 本期头条 Cryo．＆Supercond．
第40卷第6期 Focus V01．40No．6
Nb／A1一AlOx／Nb隧道结的制备研究
肖伟，曹春海，李梦月，许钦印，卢亚鹏，康琳，许伟伟，陈健，吴培亨
(南京大学超导电子研究所，南京210093)
摘要：通过改进PIE的刻蚀工艺和绝缘层的生长工艺。在Si02／Si衬底上制备出了性毖良好的超导Nb／A1一
层SiO：．改善了绝缘性能，从而降低了隧道结的漏电流。
关键词：Nb／A1一AIOx／Nb；隧道结；制备工艺
on tunnel
Fabrication junction
Nb／A1一AIOx／Nb
Xiao
Wei，c∞Chunhai，LiMengyue，XuQin扣n，LnYapeng，KangLin，XuWeiwei，ChenJian，WuPeiheng
of
Institute
(Research SuperconductingElectronics，N蛐jingUniversity，Na．jing210093，China)
and fabricated tunnel
Abstract：Byimprovingetchingprocessinsulatingl町erSlmahproees*，we superconductingjunctions
with ordertodecreasethe ofoxide andsuMtmte
goodperformance．In aching layer duringPIE．CF+WaSuBed∞etchinggas．
is by the of insulation the ofthetun·
si02grownusingPECVD，toimproveperformanceSi02 layer．Greadyimproveperformance
nel
junction。
。
Keywords：Fabrication，Tunnel，NICAl一Amx／Nb
1引言 难易程度。我们采用反应离子刻蚀工艺法(RIE)
对铌层进行刻蚀…，反应气体为CF,，刻蚀Nb速率
超导隧道结在很多领域都有重要的应用，如 适中，且容易控制，而对SiO：刻蚀速率较低。
SQUID和x射线探测器等，而超导隧道结的品质
直接影响了应用系统的性能…。铌超导隧道结 2实验过程
工作频率和工作温度较高，具有良好的热循环稳
定性以及较高的能隙电压和较小的漏电流，因而 结样品制备流程大致如下：
采用双层胶辅助剥离技术和直流磁控溅射技
其制备研究一直是超导电子学研究领域里的热
点。近年来，量子计算研究要求尽量减少铌隧道 术制备三层超导隧道铌结构Nb／A1一AIO，／Nb。
结的漏电流来增加量子比特的消相干时间，漏电 然后进行第二次光刻，AZl500胶保护隧道结区，
流越小说明结的绝缘性和势垒层性能越高。1。1。 RIE刻蚀上铌层。紧接着用PECVD的方法制备
常用阳极氧化的方法制备绝缘层，其装置简单、操
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