NbAlOx-AlNb超导隧道结制备氧化工艺与特性研究.pdfVIP

低温与超导 超导技术 Cryo．＆Supercond 第4JD卷第7期 Superconductivity V01．40No．7 Nb／AlOx—A1／Nb超导隧道结制备氧化工艺 与特性研究 卢亚鹏，曹春海，李梦月，许钦印，肖伟，房玉荣，许伟伟，康琳，陈健，吴培亨 (南京大学超导电子学研究所。南京210093) 摘要：提出一种氧的等离子氧化的方法改善结区边缘绝缘性能，降低超导隧道结的漏电流。对Al膜进行等离 子氧化能够有效的改善氧化膜的绝缘性能，AES分析表明：氧化绝缘层均匀，界面清晰；应用此方法成功制备出较 好性能的Nb隧道结。 关键词：超导隧道结；等离子氧化；阳极氧化；制备工艺 ofoxidationfor Nb／AlOx—AI／Nb tunnel hi【gh Josephsonjunctions Investigation quality La Chunhai，Li Qinyin，XiaoWei，FangYurong，XuWeiwei，KangLin，ChenJian，Wu Yapeng．Cao Mengyue，Xu Peiheng Instituteof (Research Superconductor 210093，China) Elecronics，N删ingUniversity，Nanjing newmethodofoxidizationfor Nb withlow Abstract：A junction leakage fabricatingJosephson theondafonaroundthetunnelbarrier A1filmconducted oxidationof ionswith ,could byplasma oxygen improve effectively：the the ofRIEcould theoxide ofthe enforcetheinsulation AES showsthatthe help improve qualityfilm，and property．Theanalysis oxide is interfaceis wemfabricated． layeruniform，the clear．Hig}lqualityjunctions tunnel Keywords：Superconductivityjunction，Plasmaoxidation，Anodization，Fabricationprocess 1引言 绝缘层，减小对三层结构的影响，也获得了较好性 能的隧道结㈨。我们分析了隧道结的漏电模型， 超导混频和超导量子计算电路等研究需要性 提出了一种新的等离子辅助氧化工艺，改善结区 边缘的绝缘性能，并应用此技术制备出Nb／AlOx 能优良且稳定的超导隧道结。超导隧道结漏电流 —AI／Nb隧道结，结的电性能有了显著提高。 不利于提高超导混频应用的检测灵敏度和延长超 导量子比特的消相干时间。Nb／A10x—