NiTi形状记忆薄膜的溅射制备及晶化热处理工艺.pdfVIP

第22卷第4期 材料热处理学报 Vo】22 No．4 TRANSACTIONSOFMATFRIALSANDHEAT 2001年12月 TREATMENT Ileeemk’er200l NiTi形状记忆薄膜的溅射制备及晶化热处理工艺 宫峰飞。2， 沈惠敏2， 王业宁2 (1．华东师范大学物理系，上海200062；2．南京大学固体微结构国家重点实验室，江苏南京210008) 摘要：用磁棒溅射法制备了NiTi非晶薄膜。薄膜无形状记忆技应。研究了经不同品化热处理后的形状记忆效应 嵌得的最佳晶化热处理条件为500一700。C范围内晶化05h。 关键词：NiTi形状记忆薄膜；溅射制备；品化热处理 中囤分类号：TGl39+．6文献标识码：A 文章编号2001)04—0040-03 随着现代科学技术的发展，器件的微型化已成为 2 实验方法 大趋势。1“J。这就迫切需要体积较小且功率较大的 溅射沉积的NiTi薄膜品化及结构的确定采用 驱动器”J。由于NiTi形状记忆薄膜的响应快，并且 x射线衍射仪，实验条件为CuKu，操 Rigaku．D／max—rA 有较大形状回复率和做功能力，可望满足这种要求， 作电压40kV．电流50mA，测量角度误差小于0．01。。 因而受到广泛重视。但是，由于溅射制备的NiTi薄薄膜的拉伸应力／应变特性由改进后的Mi44微型拉 膜是非晶”，而非晶不能发生马氏体柏变，故没有形 伸机测定。温度变化范围由200℃到接近液氮温度， 状记忆效应。为了获得具有形状记忆效应的薄膜，必 升降温速率为2℃／mira．实验时确保微型拉仲机的两 须研究其晶化热处理‘。“。 端悬臂轴心与样品轴心精确共轴， 本文的目的是研究用磁控溅射法制备NiTi形状 记忆薄膜及其晶化热处理。 3 结果与讨论 不同晶化条件下热处理后样品的x射线衍射潜 l 样品制备 如嘲1所示。图1a)表l孵未经热处理(即沉积状态) 3 将溅射系统真空度抽至优于I33×10Pa后充 的NiTi薄膜是非品．．图Ib)和图Ic)表明宽化的最 入高纯氩气(纯度优于99．99％)。保持适当时间(一 大值强度随热处理时间和温度的增加而增加。这说 般为lOmin左右)．带走真空事中剩余气体以尽可能 明在490气热处理．NiTi薄膜的结构有序度提高，但并 减少真空溅射室中氧气和其它杂质气体的含量。台 未品化。这与DSC测量结果相符NiTi薄膜经 金靶为51．6Ni—Ti。溅射功率为160W。为了尽可能消 550％加热保温0．5h后，在2日=4225。的位置出现最 除择优溅射带来的不良影响，先预溅射数小时使溅射 强的衍射峰和两个较弱的衍射峰，20=61．28。和2口 沉积的NiTi薄膜成分与靶的成分相同或相近。在15 述条件下获得的薄膜为l仁晶。 非晶NiTi薄膜的晶化温度经DSC测量约为 说明此时样品晶化良好。在最强峰(110)B2右侧还 500％：将非晶NiTi薄膜在真空室中做不矧条件下的 有一个较强的肩峰，该峰位于20=4225。，另外的两 晶化热处理，以探索最佳晶化条件。晶化热处理真空 个弱衍射峰2口=6202u和20=77．08。均属