SiCAl2O3界面结构的同步辐射X射线掠入射衍射研究.pdfVIP

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2015-08-31 发布于湖北
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SiCAl2O3界面结构的同步辐射X射线掠入射衍射研究.pdf

第32卷第1期真空科学与技术学报 VACUUMSCIENCEANDTEfoHNOLOGY 2012年1月 amNESEJOI瓜NAI．OF SiC／A1203界面结构的同步辐射 X射线掠入射衍射研究刘忠良1，2。康朝阳2唐军2陈香存2徐彭寿2。潘国强2 Characterizationof Interface Radiation SiC／A]203 bySynchrotron IncidentDiffraction X-RayGrazing Liu Jun2，Chen ZhongliangI’2’，K舳gch鲫yan孑，Tang XJanscun2，XuVensshou2‘，PanGtIoqf耐 235000，Otina； (1．hod矿Phys／csand觑喇删啦lnformat／on，胁衄掘Norma／U如znity，Huaibei and 230029，Odna) 2．National$嬲‰Sadiatioll血钿砌y，Unizersity矿SdetweTt虻hnologyo／CJdna，Ucfei at Abstract7IhesiCfilmswere solid-80tlrcemolecularbeam substrate by A1203 deposited epitaxy(SSMBE)011 l microstmcturesattheinterfaceofSiCand cha眦rizedwith radiation 100℃．’11Ie were A1203 synchrotronX-my铲瘟嘴 incident showthatthe strainsexistedinthe ofthe thatthefar- diffraction(GID)．1l屺resultscompressive plane fdm，and ther fromthe bettertheSiCand curve8ofGmand interface，the A1203 structures．Moreover，the away crystalline I优kiIlg revealthatthetwist is thanthetiltm斌intheSiC indicatesthatthelattice in XRD mosaic films，which bi艘er array directionisinbetterorderthanthatindirectioll8tothesubstr