SiO-Au法制备硅纳米线.pdfVIP

物理化学学报8D:E/ 8:$F: G:H4)2 ,K[RKYKM I0$ +,-.B !C,/’B J/( 9::; 998G2 $$C’#$$@% $$C’ ]/JRK^ PPPPQWY[VEKUEA= !#!$% 法制备硅纳米线 潘国卫! 浙江大学物理系 杭州 ! #$%%’( 摘要 在低真空的)*+ 系统中直接热蒸发,-. 粉末并以金为催化剂在硅衬底上制备出大量长达几十微米的硅 纳米线 通过 射线衍射谱 !场发射扫描电子显微镜 !透射电子显微镜 !选区电子 !,-/012 3 !34+2 !56,672 89672 衍射仪 和 光谱等技术对硅纳米线进行形貌及结构分析 实验结果表明 在不同生长温度下制备得 !,:6+2 4;;= 到的硅纳米线质量不同 其中在 温区生长的硅线质量最好 与晶体硅 的一级散射特征峰 ’%% ! ? 4;;= 89.2@%# B$ 相比 纳米硅线的 特征峰 红移至 B$ A 4;;= 89.2 @$CD A 关键词 法 硅纳米线 制备 ,-.:E 8,-/012 中图分类号 .FCG !’() *+)(,-./ 0-(1%’.1 23 !#!$% 4.56(1 H:/ IEJ0K- ! 8!#$%’( )* +,-./0.1 2,3 /4(5 6(/7%./-1 84(59,): ;== ?1 +@ AB C,/($( 72/5-+’5 L;MNK1A;OK 1-O-AJ= =;=JP-MK1 !,-/012 PQ-AQ AJ=1-1R JS ; AMT1R;OO-=K 1-O-AJ= AJMK ;=U ; RQ-AV JW-UK 1QKOO P-RQ ; OK=NRQ JS RK=1 JS -AMJKRKM1 PKMK 1T=RQK1-XKU YT KZ;[JM;R-J= JS 1-O-AJ= J=JW-UK !,-.2 E1-=N ; NJOUAJ;RKU 1-O-AJ= P;SKM ;1 1EY1RM;RK -= ; OJP Z;AEE )*+ 1T1RK 9QK JM[QJOJNT ;=U 1RMEAREM