Si基氨化ZnOGa2O3薄膜制备GaN纳米线.pdfVIP

第26卷第5期 半导体学报 V01．26No．5 CHINESE 0FSEMICoNDUCTORS 2005年5月 JOURNAL ，May，2005 Si基氨化ZnO／Ga203薄膜制备GaN纳米线* 高海永 庄惠照+ 薛成山 王书运 何建廷 董志华 吴玉新 田德恒 (山东师范大学半导体研究所，济南 250014) 线衍射测量结果表明利用该方法制备的GaN纳米线具有沿c轴方向择优生长的六角纤锌矿结构．利用扫描电子显 微镜、透射电子显微镜、傅里叶红外透射谱、能量弥散谱及选区电子衍射观测并分析了样品的形貌、成分和晶格结 构．研究发现Zn0层的挥发有利于Gaz03和NHs反应合成GaN纳米线． 关键词：GaN纳米线；zn0／Ga。0。薄膜；射频磁控溅射；氨化 PACC：8115C；8140G；6146 中图分类号：TN304 文献标识码：A 文章编号：0253—4177(2005)05一0931一05 材料也是研究的热点之一[12’13|．但当用氨气作为 1 引言 GaN生长的反应气体时，高温下ZnO会在氨气气 氛中挥发[14’15|，所以应用ZnO作缓冲层时一般在较 近年来，一维纳米材料由于其独特的物理性质 低温度下生长GaN薄膜．实验中我们在900℃下通 和在纳米电子学与光电子学上的潜在应用而受到广 过氨化ZnO／Ga。O。薄膜合成出六方纤锌矿结构的 泛的关注，在基础研究和制作新一代纳米器件方面 GaN纳米线，通过这种方法来合成GaN纳米线尚 未见报道． 具有重要的应用价值[1’2]．GaN是一种十分优异的 直接带隙Ⅲ一V族化合物半导体材料，室温下禁带宽 2 度为3．4eV[3]，具有优良的机械性质、高发光效率、 实验 高热导率、耐高温、耐酸碱等特性，被誉为第三代半 导体材料，是制作蓝／绿发光二极管(LEDs)、激光二 实验前将Si(111)衬底依次用去离子水、丙酮、 极管(LDs)、紫外探测器件和其他光电器件的理想异丙基乙醇和去离子水进行超声清洗．采用JCK一 500A型射频磁控溅射仪进行溅射，所用靶为直径 材料[45]．目前GaN纳米线得到了广泛的研究，在高 电子迁移率纳米电子器件、全色平板显示等领域具 有广泛的应用前景．GaN纳米材料可以通过多种方 结靶，靶基距为8cm，真空室背景真空度为3．6× 法合成，例如碳纳米管限制反应[6]、基于汽一液一固机 制的催化反应‘7|、激光辅助催化生长[8]、升华法[9]、利用Ar离子对靶预溅5min以清洗靶表面．随后在 金属镓和氨气直接反应[1明等． 常温下将ZnO和Ga。O。依次溅射到衬底上，溅射厚 ZnO和GaN具有相近的晶格结构，二者都具 有六方纤锌矿结构，口轴和c轴晶向的失配率分别 后将溅射后的样品放置在石英舟中，待管式石英炉 仅为1．9％和O．4％[1¨，所以ZnO的一个重要应用温度达到900℃时，将样品送入管式炉的恒温区．先 就是作为GaN薄膜生长的缓冲层．同时ZnO纳米 *国家自然科学基金资助项目(批准号90201025) 高海永男，1977年出生，硕士研究生，研究方向为宽禁带半导体材料和器件，目前主要从事氮化镓材料的研究． 庄惠照女，1954年出生，副教授，硕士生导师，主要从事宽禁带半导体材料和器件的研究． 十通信作者，Email：huizhaozhuang@163．com 2004一07—23收到，2004—11—26定稿