SmTbCo交换耦合双层膜的制备及特性研究.pdfVIP

No．4 第30卷第4期 湖北大学学报(自然科学版) V01．30 ofHubei Science) Dec．，2008 2008年12月 Journal University(NaturaI 文章编号：1000一2375(2008)04一0370一04 SmTbCo交换耦合双层膜的 制备及特性研究 俞伟钧1，钱显义2，黄致新3 (1．常州工学院理学院。江苏常州213002； 2．常州公学院电子信息与电气工程学院，江苏常州213002； 3．华中师范大学物理科学与技术学院，湖北武汉430079) 摘要：采用射频磁控溅射方法制备SmTbCo交换耦合双层膜并对其磁特性进行研究．所制备的SmTbCo 双层膜，是由饱和磁化强度为340emu／cm3的富过渡金属读出层和矫顽力为5．80koe的富稀土写入层构成． koe提高到5．96koe．双层薄 通过交换耦合，具有大的饱和磁化强度SmTbCo读出层的矫顽力，可以由1．85 膜的交换耦合及其在外场中的磁化行为，可以由微磁模型得到合理的解释． 关键词：薄膜；制备；交换耦合；磁特性 中图分类号：0482．5文献标志码：A 1 引言 近年来，高速增长的磁记录越来越多地受到超顺磁极限问题的困扰[1]．为了突破超顺磁极限的限 制，科学家们提出了不同的解决方案[z]．其中，以光磁混合记录，或热辅助磁记录(HAMR)最为人们所 关注[3]．在这一新记录方式中，信号的写入类似于磁光记录的写入方式，采用的是热磁写入法，即采用聚 焦激光束加热在室温下具有高矫顽力的介质，使其矫顽力迅速下降，然后用磁头写入；激光离开时，介质 温度又很快下降，介质矫顽力马上又恢复到较高的值，这样可以形成稳定的磁畴，使得介质具有高的热 稳定性；在光磁混合记录方式中，通常需要磁记录介质具有比较大的饱和磁化强度或剩磁，以便GMR 磁头读取并获取较大的记录信号幅度，以提高信噪比，也需要介质具有大的矫顽力以提高介质的热稳定 性[4]．但是，若磁记录层为具有较高磁化强度的单层，在退磁场影响的作用下，势必使记录位不稳定[5]． Togami等人[61曾发现，对于被用作磁光记录介质的稀土——过渡金属非晶薄膜，采用具有交换耦合相 互作用(ECDL)的双层膜，可以获得比较稳定的记录位． 由于光磁混合记录与磁光记录都是采用激光辅助加热的热磁写入方式，所以，也可以采用具有交换 耦合相互作用的ECDI。膜作为光磁混合记录介质．因此，本文选取SmTbCo双层膜为研究对象，并对其 制备及特性进行研究． 2 实验 2．1样品制备SmTbCo双层膜的制备是在成功地制备了SmTbCo单层薄膜的基础上进行的． 的．基片为玻璃，溅射时保持基片水冷．溅射之前系统真空度优于10叫Pa．磁性层组分的控制可以用Co 靶上放置的Sm片和Tb片的多少及其相对于溅射环的位置来控制．通过优化溅射工艺参数，可以得出 收稿日期：2008—09—16 基金项目：国家自然科学基金资助项目 作者简介：俞伟钧(196l一)，男，讲师 万方数据 第4期 俞伟钧等：smTbco交换耦合双层膜的制备及特性研究 37I SmTbCo单层的溅射功率375W、溅射气压为O．53Pa、溅射速率为40 nm／min，薄膜厚度可以由溅射时 间来控制． 制备SmTbCo双层耦合膜时，采用了两个成分不相同的复合靶，一个是组分为Sm。ⅢTb。：．。。Co。，的 layer)，另一层为富稀土元素(RE—rich)组成的写入层(Memorylayer)．为了避免层间界面氧化的影响， 在溅射过程中，采用不问断连续溅射的模式．