SnO2-Zn2SnO4复合陶瓷的介电性质研究.pdfVIP

助 材 料 2012年第2O期(43)卷 SnO2-Zn2SnO4复合陶瓷的介 电性质研究 梅 方，李立本 ，臧国忠 (河南科技大学 物理与工程学院，河南 洛阳 471003) 摘 要 ： 通 过 传 统 陶瓷制备 工 艺制 备 了致 密 的 入适量酒精 ，用行星球磨机球磨 12h。料浆烘干后压 Sn()2Zn2Sn04复合陶瓷 ，研 究了不 同Sn02、Zn2Sn04 制成大片 ，在 1000℃下 2h合成 Zn。SnO 。将合成 的 复合 比例对 陶瓷介 电性质的影响及其高介 电性质产生 大片进行粉碎研磨 ，然后加入酒精再进行 12h球磨，料 的机理 。研 究发现，40Hz时，该复合 陶瓷的相对介 电 浆烘干后分成 2份 ：一份在 200MPa的压力下压成直 常数高达 10，远 高于 SnO。、ZnSnO 陶瓷 ，且样品的 径为 15ram、厚 1mm 左右的圆片 ，650℃下排胶后 ，在 相对介 电常数、导纳随组分的变化规律一致。进一步 1400℃下烧结 2h；另一 份 和 Sn0 按 照 (1一 )mol 研 究发现，样品的 电容 随着施加偏压的变化满足 肖特 Sn02+ molZn2Sn04配 制，其 中 z一0．05、0．10、 基势垒电容公式，这表明，Sn0。一ZnSn0 复合 陶瓷的 0．15和 0．20，同样球磨 12h后将料浆烘干，加入粘合 高介 电行为起 源于晶界处的双 肖特基势垒。 剂造粒后压成小圆片，并在 1400℃下烧结 2h。用X射 关键词 ： 介 电性质；复合陶瓷 ；肖特基势垒 ；Sn0 线衍射仪 (XRD)对样品的成分进行分析。介 电频谱和 中图分类号 ： TB34；TB332；0487 文献标识码 ：A 复阻抗频 谱 (40Hz～10MHz)由高频 阻抗分析仪 文章编号：1001-9731(2012)20—2812-03 (Aglient4294A)测得 。 1 引 言 3 结果与讨论 SnO：是一种宽禁带半导体 ，由于其电学性质随外 图1是 1000C下合成的ZnSnO 粉体以及 1400。C 加条件的变化而明显变化 ，多年来 ，SnO。作为敏感材 下烧结的陶瓷样品的 x射线衍射图谱。从 图1可以看 料被人们广泛研究l1～]。纯 SnO 难以烧结成致密 的 出，1000C下 ，SnO。与ZnO并没有合成 ZnSnO。，而是合 陶瓷 ，1995年 ，S．A．Pianaro等通过 CoO、Nb2O5掺杂 成了单一的具有尖晶石结构的ZnSnO (PDF140381)。 获得了致密 的且 具有 电学非线性特性 的 SnO。陶 在 27。附近，有较小的 SnO 峰存在 ，这说明 1000。C下 ， 瓷_4j，此后，人们对 SnO 陶瓷的压敏性质进行 了广泛 SnO。未 与 ZnO 完 全 合 成。但 1400C下 烧 结 的 深入 的研 究[5]。1996年 ，在 ZnO和 CoO 掺杂 的 ZnSnO 陶瓷样品中不存在其它杂相。 SnO2陶 瓷 材 料 中，Cerri等 发 现 了 Co。SnO 和 ZnSnO 相 的 存 在 。2005 年 ，Zang 等 发 现 Zn。SnO 掺杂可促进 SnO 陶瓷烧结致密，并首次制 备 了SnO 一ZnSnO 复合陶瓷 ，与传统认为的氧空位 是促进 SnO 陶瓷烧结 的根本原 因这一观点不 同，提 出 ZnSnO 与 SnO 之 间的物质交换作用是促进 SnO 烧结致密 的根本原 因[1。SnO 陶瓷必须通过 施主掺杂才能使得晶粒半导化 ，形成晶界势垒，从而出 现 电学非线性性质 。Zn。SnO 也是一种 宽禁带半导 谱 体 ，作为气敏、光催化材料被广泛研究[1 ]。本文研究 Fig1XRD pat