SnO2掺杂对TiO2压敏电阻器性能的影响.pdfVIP

vol 2 第36卷 增刊2 稀有金属材料与工程 36，Suppl RAREMETALMATERIALSANDENoINEEfUNG2007 2007年 8月 Augun 敏电阻器性能的影响 Sn02掺杂对Ti02压 (1_中国科学院宁波材料技术与工程研究所．浙江宁波315040) 伫．中国科学院固体物理研究所材料物理重点实验室，安徽台肥230031) 对材料的结构和电学性能进行了研究．结果表明：sn0：的掺杂抑制了晶粒的生长，晶界相含量增加。电性能测试结果 显示，sn02的掺杂量在¨1．5mo啪内，击穿场强随sn02掺杂量的增加单调递增；非线性系数先增加后又减小’掺杂量 为0．8m01％的样品具有最大的非线性系数缸=8．3)。并对以上的实验结果从理论上给予了分析． 关键词：压敏电阻；非线性系数；压敏电压； 146．4 中图法分类号：TG 文献标识码：A 文章编号：1002-185x(2007)s2—177—04 1 引 言 其中Ti02为化学纯(上海钛自粉厂)，其余全部为分 Ti02基电容．压敏双功能元器件相当于一个电容析纯。以PvA为粘合剂，以一定量的乙醇为分散剂， 器与一个压敏电阻器并联，当电压低一J：压敏电压时可 对定最配比的混合物浆料进行球磨，然后烘干，手工 mm的圆片，成型压力为200 作为性能优良的电容器使用，而当电压高于某一值时， 造粒，压制成立径毋=15 它可发挥压敏电阻器功能，在中低压电子设备过电压 MPa。在1350℃112J烧结3．5h。冷却速率为lO℃／min 保护、消噪、耐浪涌等方面有着广泛用途【lJ。与zno 到800℃【”】，然后随炉冷却，将所得陶瓷片打磨，超 min。 声清洗并干燥，涂银电极，在130℃下干燥30 基压敏电阻相比，Ti02基介电常数大(sal05)、响 应速度快，吸收前沿陡峭脉冲口卅等优点。与srTio， x 压敏电阻相比，它无需在还原性气氛中烧结，提高了 光衍射仪上进行的，采用扫描电镜(sEM，荷兰FEI 生产安全性，也无需在氧化气氛中退火”J，降低了生 公司生产的s埘on系统)对样品的形貌进行分析。电学 产成本。基于以，卜的优点．Ti02基压敏电阻的研究受输运性能在■删试仪上测量的，通过精密数字电桥 到国内外的莺视。vCSousa等讨论了cr203和Ta205 掺杂对Ti02基压敏电阻材料性能的影响[”。 3结果与讨论 A，B，Gaikwad等研究了Ta针和Ba2+添加对材料结构和 性能的作用【”。季惠明等分析了Y”掺杂的系列样品的 3．1 形貌和相成分分析 压敏性能[8】口李慧峰鸭张卫【9】，李长鹏【lo】和李红耘㈣ 以看出，晶粒发育比较完整，在三角晶界处存在孤立 等研究小组分别研究了sj02，Mn02，Nb205和ce02的 掺杂对Ti02基电容．压敏双功能材料微结构、晶粒生长 的第二相，同时，晶粒和晶粒之间也存在连续的玻璃 和电学性能的影响。sn02基材料作为气敏和压敏多种相。随着sno：的掺杂量增加晶粒的尺寸减小。掺杂