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SnO2纳米薄膜氢敏特性的研究.pdf
陶春曼等:Sn(),纳米薄膜氢敏特性的研究
Sn()。纳米薄膜氢敏特性的研究。
陶春昊1,殷晨波1,张子立1,朱斌1,涂善东2
(1.南京工业大学机械与动力工程学院.江苏南京210009;2.华东理工大学机械与动力工程学院,上海200237)
摘要: 采用溶胶一凝胶法制备了Sn(^氢敏纳米薄 ·2H。()溶入乙醇中并放人密封容器搅拌4h,所得的
膜。将0.1和0.05mol/1.的Snq溶胶溶液旋涂在Au
溶液在宦温下静置24h,得到一定浓度的溶胶溶液。
叉指电极衬底而制得。通过测量在不同温度下SnOz纳采用旋涂法将溶胶溶液旋涂在宽为10”m、间隙尺寸为
米氯敏薄膜的电阻信号采表征其氢敏特性。当温度为
250C时.试样的灵敏度较低.并且响应时问也比较长。得到均匀的薄膜。将薄膜放入loo℃的干燥箱内干燥
温度为300℃时试样的灵敏度较高,响应时间也明显缩 10min。以上步骤重复需要的遍数后,将制备所得薄膜
短。0.05mol/L溶胶溶液旋涂10层制备的样品在放人加热炉中烧结,在450℃下烧结时间约30min,形
300’C氢气浓度为2.0×10‘时,灵敏度达到了178.响成SnO:纳米薄膜。
应时闻为3.5s。同时实验还发现试样对氢气的响应时 2.2样品表征
同随着氢气浓度的增加先增大再减小。 采用JSM6400型电子显微镜对试样进行测试。
关键词:氢传感器;SnO::溶胶·凝胶法;气体灵敏度 图1为测试试样结构的电子显檄镜图。氢敏纳米薄膜
中图分类号: TQl74 文献标识码:A 的叉指电极由200hm厚的金薄膜光刻得到.电极宽
文章编号:100lr9731(2011)增刊Ⅳ一755-04
指电极走线规整,整个电路中构成叉指电极的Au纳
1引言
米薄膜完整.为氧敏纳米薄膜的测量提供了可靠的硬
随着人类对能源需求量的增大和环保意识的增强 件支持。
使氢能利用的重要性日渐明显。但氧气的易燃易爆和
腐蚀性,在生产、使用、存储、运输中的易泄漏性,又极
大地制约了氢能的使用。安全问题是氢能利用的首要
问题,而高性能氢气传感器对氢能利用过程的有效监
控是解决氢能安全性的重要手段。以Sn0:纳米薄膜
为主体的氢气传感器,因其测量浓度极限低,响应时间
快,尺寸小.功耗低,稳定的基准信号,易于实现量产等
优点,受到了极大的关注““]。半导体型氢气传感器性
能提高,关键在于氢敏材料的制备工艺,溶胶一凝胶法 图1 又指电微电子显微镜图
是众多制备纳米薄膜f艺中的一种。相对于其它 1 SEM inter
ofthe electrode
Fig image digital
SnOz纳米薄膜制备工艺.溶胶一凝胶法具有工艺简单, 图2为氢敏纳米薄膜的电子显微镜图。图2(a)薄
工艺过程温度低.化学反应稳定,易获得组分分布均匀
的高比表面积薄膜材料,可以大面积在不同形状、不同 而成。由图2(a)可知氢敏纳米薄膜的晶粒直径为
材辩的基底上制备薄膜等优点“‘“。本文采用溶胶一凝 40hm并且整个区域的纳米薄膜规整致密。同时在图
胶法制备了SnO。纳米薄膜,得出了在不同温度梯度 的左侧部分氢敏纳米薄膜存在一些细小的裂缝。图2
下SnO。纳米薄膜灵敏度和响应时间与不同氢气浓度 (b)为氢敏纳米薄膜的电子显微镜图。此薄膜采用
曲线。针对在不同温度下在3.0x101附近试样的响
应时间都出现了一个波峰的现象.结合已有的氢敏材 子显微镜显示氢敏纳米薄膜的晶粒直径为20nm.并且
料反应机理.分析了原因。 整个区域的纳米薄膜规整致密,没有明显的裂纹存在。
2实验
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