Sn掺杂ZnO纳米带的制备及其光致发光性能研究.pdfVIP

黝 锨 财 斟 Sn掺杂ZnO纳米带的制备及其光致发光性能研究。 郭佳林，常永勤，王明文，陆映东，龙 毅 (北京科技大学材料科学与工程学院，北京100083) 摘 要： 采用热蒸发法制备了单晶Sn掺杂ZnO纳 2 实 验 米带，其中Sn的掺杂含量约为5％(原子分数)。X射 线衍射(XRD)结果表明Sn掺杂ZnO纳米带为单相纤 锌矿结构。X射线光电子能谱(XPS)表明样品中sn匀混合，然后取混合后的粉末(约0．59)作为蒸发源放 的价态为4+。样品的室温光致发光谱(PL)在445．入氧化铝舟的中央位置。镀有Au膜的(100)单晶硅 8nm处存在较强的蓝光发射峰，对其发光机制进行了 片清洗干净后作为接收衬底，放置在蒸发源的正上方 分析。 并固定好。水平管式炉中放有石英管，将氧化铝舟放 关键词： Sn掺杂ZnO纳米带；光致发光；热蒸发；生置在炉子的恒温区域。加热前，先向石英管中预通人 长机理 中图分类号：TB34 文献标识码：A 文章编号：1001-9731(2009)02—0332—03 出硅片，发现硅片上沉积有大量白色产物。本文还以 1 引 言 ZnO是直接带隙宽禁带半导体材料，室温下的禁 带。 带宽度为3．37eV，激子结合能约60meV。ZnO具有 优越的光电性能，是制作蓝、紫外光电器件最有应用前 景的材料之一[1’2]。为了提高材料的光电性能，一般需 SUPRA 要对ZnO进行掺杂，典型的掺杂元素有Ⅲ族的B、Al、 CROLABMK In、Ga和IV族的Sn、Pb等。其中Sn作为一种重要 11)对沉积产物的形貌、组成和结构进 的掺杂改性元素引起了人们的广泛关注[3~6]，这是由行了表征。采用HITACHIFF-4500型荧光光谱仪在 于Sn作为双离化施主提供施主离子，可以获得更高的 室温条件下测试了样品的光致发光性能(以氙灯为激 电子载流子浓度，因而Sn掺杂入ZnO后有望获得高发光源，激发波长为325nm)。 的电导率和良好的场发射性能[7]，另外，Sn的掺杂也 3结果与讨论 可以改变ZnO的禁带宽度[8]。准一维ZnO纳米材料 由于其独特的性质以及在纳米光电子器件方面潜在的 产物的扫描电镜结果如图1所示。 应用价值，近年来逐渐成为研究的热点，其中Sn掺杂 ZnO纳米结构也逐渐受到人们的关注[7~9]。热蒸发法 是被广泛采用的制备方法，Y．L．Seu等口]将ZnO、 SnO。和C粉混合球磨24h后将粉末热蒸发来获得Sn 掺杂ZnO纳米线。Y．B．Seung等[B3采用热蒸发的方 法在氩气流量为500ml／min的条件下，加热2h获得 了Sn掺杂ZnO纳米线。本研究以ZnO粉、Sn粉为蒸 发源，不需要球磨，在较短保温时间(10min)、较低氩气 图l Sn掺杂ZnO纳来带的SEM图谱 流量(120ml／min)条件下制备出了大量Sn掺杂ZnO 1 SEM of ZnO Fig imagesSn-dopednanobeltsob— 纳米带，从而有效地降低了生产成本，同时保证了高产 tainedonthe substrate 量以及实验可重复率(接近100％)。此外本文还研究 在硅片上沉积有大量纳米带(图1(a))，其中纳米 了Sn掺杂Z