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理化学学报(Wuli Huaxue Xuebao) 2840 Acta Phys. Chim. Sin., 2010, 26(10) ：2840-2844 October [Article] Sn 掺杂ZnO 纳米针的结构及其生长机制 杰 庄惠照 薛成山 李俊林 徐 鹏 (山东师范大学半导体研究所, 济南 250014) 摘要： 利用包括磁控溅射和热氧化的两步法在Si(111)衬底上制备了Sn 掺杂ZnO 纳米针. 首先用磁控溅射法 在Si(111)衬底上制备Sn:Zn 薄膜, 然后在650 益的Ar 气氛中对薄膜进行热氧化, 制备出Sn 掺杂ZnO 纳米针. 样品的结构、成分和光学性质采用X 射线衍射(XRD) 、扫描电子显微镜(SEM) 、透射电子显微镜(TEM) 、高分辨透 射电子显微镜(HRTEM) 、能量散射X 射线(EDX) 和光致发光(PL)光 等技术手段进行分析. 结果表明, 制备的 样品为具有六方纤锌矿结构的单晶Sn 掺杂ZnO 纳米针, Sn 掺杂量为2.5%(x , 原子比), 底部和头部直径分别为 200-500 nm 和40 nm, 长度为1-3 滋m, 结晶质量较高. 室温光致发光光 显示紫外发光峰比纯ZnO 的发光峰稍 有蓝移, 这可归因于能 分析中探测到的Sn 的影响. 基于本实验的实际条件, 简单探讨了Sn 掺杂ZnO 纳米针 的生长机制. 关键词： 纳米结构; ZnO; Sn 掺杂; 溅射; 光学特性; 生长机制 中图分类号： O649 Structure and Formation Mechanism of Sn Doped ZnO Nanoneedles WANG Jie ZHUANG Hui Zhao XUE Cheng Shan LI Jun Lin XU Peng (Institute of Semiconductors, Shandong Normal University, Jinan 250014, P. R. China) Abstract ： We synthesized Sn doped ZnO nanoneedles on Si(111) substrates in two steps: sputtering and thermal oxidation. First, a thin layer of the Sn颐Zn films was deposited onto the Si(111) substrates in a JCK 500A radio frequency magnetron sputtering system. Sn doped ZnO nanoneedles were then grown by simple thermal oxidation of the as deposited films at 650 益 in Ar atmosphere. The structural, componential, and optical properties of the samples were characterized by X ray diffraction (XRD), scanning electron microscopy