Sn掺杂BZT薄膜性能研究.pdfVIP

邓小玲等：Sn掺杂BZT薄膜性能研究 Sn掺杂BZT薄膜性能研究+ 邓小玲1’2，蔡 苇1，符春林1，陈 刚1，郭冬娇1 摘 要： 采用sol—gel法在Pt／Ti／Si0：／si衬底上制制BZT溶胶。首先称量出一定量的乙酸钡加入冰乙 备了Sn掺杂Ba(Zr。．2Ti08)03(BZT)薄膜。结果表 酸中，于80℃的水浴锅中溶解得到Ba前驱液。用适 明，掺锡的BZT薄膜为钙钛矿结构，当Sn掺量超过 量的乙二醇乙醚溶解钛酸正四丁酯，并加入适量的乙 4％时，出现了第二相BaO；SEM观察发现掺锡BZT 酰丙酮作为螯合剂，不断搅拌使其成为透明的Ti前驱 薄膜表面光滑平整，孔洞和裂纹较少；-3Sn掺量达到 液。用适量的乙醇分别溶解五水硝酸锆和二月桂酸二 8％时，BZT薄膜的介电常数达到最大值，而介电损耗丁基锡得到Zr前驱液和Sn前驱液。取适量的Ba前 最小；BZT薄膜的剩余极化强度为2．29tlC／cm2，矫顽 驱液和Ti前驱液混合均匀后加入一定量的Zr前驱 场强为10．36kV／cm。 液，并加入不同量的Sn前驱液，以配制不同Sn掺量的 关键词： BZT薄膜；Sn掺杂；性能 BZT溶胶。 中图分类号：TB32；0484 文献标识码：A 文章编号：1001—9731(2012)增刊I一0097—04 用旋转涂布的方法得到凝胶膜。匀胶机先采用低转速 1 引 言 得到的凝胶膜在干燥箱中干燥10min后置于石英管式 铁电材料的种类较多，常见的有(Ba。一。Sr：)Ti0。 (BST)L1|、Ba(Zr，Til一，)03(BZT)L引、Pb(Zr：Til一，)03 在800℃下进行退火处理30min后得到BZT薄膜。 (PZT)[33等，常应用于动态随机存储器(DRAM)，多层 2．2样品性能检测及表征 陶瓷电容器(MLCC)和铁电随机存储器(FeRAM) 等m]。 极。得到MIM夹心结构。利用X射线衍射分析仪分 在BaTiO。中引入Zr(B位取代)或者St(A位取 析晶体结构，采用SEM分析其表面形貌，采用Agilent 代)能够调节其居里温度至室温以下[5]。由于Zr4+比 4284A Ti4十化学稳定性更好，具有更大的离子半径，引入之 铁电分析仪测试薄膜的铁电性能。 后，能够使其钙钛矿晶格变大。Zr4+取代Ti4+之后将 会抑制Ti”与Ti3+的电子跃迁，从而减小了薄膜的漏 3结果与讨论 电流。Zr的引入会使平均晶粒尺寸变小，降低相对介 3．1 晶体结构 电常数以及保持较小并且稳定的漏电流[7。9]。 有研究表明，Ba(Zr叫Ti。．。)O。(BZT)薄膜掺杂可 膜的XRD图谱。从图1可以看出，无论掺杂与否的 改善其性能[1“12]。本文采用溶胶一凝胶法制备了Sn掺 杂BZT薄膜，研究了Sn掺杂BZT薄膜改性的机理， 研究了sn掺量与BZT薄膜晶体结构、表面形貌、介电 移，但最大偏移角度不超过0．5。，其原因可能是Sn在 性能和铁电性能的关系。 2 实 验 2。1掺锡BZT薄膜的制备