Sn作为添加剂的低温瞬时液相烧结Terfenol-D工艺的研究.pdfVIP

第36卷 第4期 稀有金属材料与工程 Vbl．36．N0．4 2007年 4月 RAREMETAL～LTERIAI．SANDENGINEERⅡ町G A研12007 Sn作为添加剂的低温瞬时液相烧结 Terfen01．D工艺的研究 赵书文，韩晓艳，刘何燕，赵 勇，曲静萍，李养贤 (河北工业大学，天津300130) 压力、烧结工艺对样品磁性能(包括磁致伸缩性能)和力学性能的影响。获得了在12×79．6k～m磁场下，与磁场平行方 s。 力为1．OGPa，在250℃持续烧结150 关键词：液相烧结；Terfen01．D；磁致伸缩 中图法分类号：TM272 文献标识码：A 文章编号：1002．185X(2007)04．0750．03 D多晶样品。在850℃进行72h退火。然后在氩气保 1 引 言 护下将合金粉碎，利用湿筛分的方法获得3种不同粒 Terfenol—D(Tbo．27Dyo．73Fe2)合金的磁晶各向异性 低，因而具有巨大的低场室温磁致伸缩…，这引起了 分别与不同质量比的Sn粉混合均匀，Sn粉与合金粉 科学界和产业界的广泛重视。然而对于多晶Terfen01． D材料来说，其各向异性大，尤其是A川瑚。。。，只有 混合后的粉末在不同的压力下成型，选择的成型压力 GPa，0．75GPa，1．OGPa，1．25GPa，1．5 在(111)方向上具有巨大的磁致伸缩。所以人们主要分另U为：0．5 采用定向凝固技术来制备Terfen01．D单晶和取向多 晶[2】。但是由于这种工艺生长参数众多，难以精确控 一定时间。烧结过程在快速热处理炉(R1『P)中完成。 XIPert 制，成本较高[3】，而且不易获得不规则形状样品，所 MPD型粉末衍射仪上进行， XRD分析在Philips 以很难产业化应用。为了克服以上困难，人们开始探 选用Cu‰辐射。在室温下用电阻应变法测量样品的 索新的制备方法：粘结【4～61和烧结[71。粘结Terfen01．D磁致伸缩。利用振动样品磁强计(VSM)测量样品的 虽然具有高的电阻率和良好的力学性能，但是由于引 相关磁性能，其最大磁场为12×79．6洲m。 入了非磁性的粘结剂，降低了其磁致伸缩性能；而传 3结果与讨论 统的Terfen01．D烧结方法的烧结温度高，时间长，工 艺参数复杂，有时还需要提高Tb／Dy比来促进烧结体 图1示出了烧结样品轴向截面的x射线衍射谱 在111方向的取向【引。 图。样品制备条件为：粒度75um，Sn含量为4％， 本研究探索了一种新型的烧结工艺来制备 成型压力为1．0GPa，250℃下烧结150s。由图1可以 Terfen01．D材料，称之为Sn作为添加剂的低温瞬时液 相烧结Terfen01．D工艺。由于Sn具有良好的延展性，叠加。其它烧结样品的X射线衍射分析也得到了同样 的结果，这说明烧结过程中并没有发生相变。 因此试图将Sn引入到硬而脆的RFe2立方LaVes相中 来改善其力学性能。 图2为3种不同粒度烧结样品的金相照片。由图 2 实 验 采用真空电弧炉在高纯氩气保护下制备Terfen01．