试论硅材料的加工(44页).pptVIP

12.1切头去尾 目的：利用外圆切割（OD）机、带锯或内圆切割（ID）机切去单晶锭的头尾非等径部分，以及不符合产品要求的部分；同时切取供检验单晶锭参数的检验片，并按规定长度将晶锭分段。 外圆切割机的刀具是在金属片的外圆边镀上一层金刚石颗粒，在刀片旋转的过程中将晶锭切断。缺陷是：晶体直径越大外圆刀片的直径也越大，刀片厚度也越大，晶体损失也越大。、 带锯和内圆切片的刀具是在其刀刃上镀上一层金刚石颗粒，用刀具的运动进行切割。优势：节省原料。 12.2 外径滚磨 生长的单晶直径一般来说都比需要的加工的晶片大2~4mm，而且有的单晶特别是111晶向生长的单晶，晶棱可能成为一个小面，因此需要对晶体进行外径滚磨，使之成为标准的圆柱体。 注意事项：晶锭一定要固定牢靠，且要对中精确；每次磨去的厚度不要太大。 为了减小损伤层厚度，先用粗颗粒磨轮磨，（粒度小于100#），后用细颗粒磨轮磨（粒度介于200#~400#）。用水冷却，带走热量磨屑。 12.3 磨定位面（槽） 用于制作集成电路（IC）等的硅片，需要磨定位面或定位槽（V形槽）。用于制作二极管、可控硅及太阳能电池等的硅片，无需有定位面。 磨定位面或定位槽是在装有X射线定向仪的外径滚磨机上进行的。 一般磨两个面， 一个较宽的面（110）面，称为主平面， 作为对硅片定位用；另一个平面较窄，称为次平面，标识晶锭的晶向和型号。 12.4 切