SrBi2Ta2O9Bi4Ti3O12复合铁电薄膜的制备与特性研究.pdfVIP

第56卷第12期2007年12月 物 理 学 报 1000．329012007／56(12)／7315．05ACTAPHYSICASINICA ⑥2007Chin．Plays．Soe． 王 华 任明放 (桂林电子科技大学信息材料科学与工程系，桂林541004) (2007年1月4日收到；2007年4月26日收到修改稿) 膜的微观结构与生长行为、铁电性能和疲劳特性．研究表明：Si衬底阢Ti30．：薄膜易于沿c轴择优生长，并有利于 SrBi2Ta209／BkTi，O，：复合薄膜的生长．合理的SrBi2耽09，瓯Ti30，：厚度配比能获得较好的铁电性能和优良的抗疲劳 kV／cm， 特性，SrBi：耽09／Bi4Ti30。：厚度配比为1：3的复合薄膜的剩余极化强度和矫顽电场分别为8．1tuC／em2和130 其无疲劳极化开关次数达10“以上． 关键词：SrBi：Ta20，，Bi。Ti，O。：，复合铁电薄膜，溶胶凝胶工艺 PACC：8140，7780，8115I 为制备si基铁电存储器件的热点候选材料之 1．引 言 一fI㈣引．虽然BIT及其掺杂改性薄膜的剩余极化较 SBT薄膜有较大提高，但其疲劳特性与SBT薄膜相 数十年来，为发展新型铁电存储器，人们对铁 比还有较大差距㈨．本文利用SBT结合Pt电极优异 电薄膜材料进行了广泛的研究¨。1．铁电存储器常 的抗疲劳特性以及BIT与Si衬底良好的晶格匹配， 采用溶胶凝胶工艺制备了Si基SBT／BIT多层复合铁 用的铁电材料是Pb(zr，Ti)O，(PzT)等钙钛矿结构 氧化物材料，由于Pzr抗疲劳性能较差，尽管采用 电薄膜，研究不同SBT，BIT薄膜层及其厚度对多层 导电氧化物电极材料后其疲劳特性有所改善，但仍 复合薄膜微观结构与生长行为、铁电性能和疲劳特 远不能满足器件应用的要求．同时，PZT／Si之间的界性等的影响． 面问题(互反应、互扩散、晶格匹配、界面态密度等) 也未能得到很好的解决，阻碍了其在器件方面的进 2．实验方法 一步应用旧’41．自从1995年Amujo等b1报道了Bi系 实验选用电阻率为5一10 层状钙钛矿结构的SrBi：Ta20，(SBT)铁电薄膜具有 良好的抗疲劳特性后，SBT材料被广泛研究M’7’，即晶片和电阻率在0．002 cm 使采用非导电氧化物电极材料(如Pt)，其无疲劳极单晶片(用于制备测试电滞回线的样品)，切成1 化开关次数仍可达1012次，并且具有很好的信息储X1 cm的小片，按半导体标准工艺进行清洗．前一 存寿命和较低的漏电流，但其剩余极化却偏低，仅为 种衬底主要是为适应Si集成铁电器件的实际需要， 后一种衬底是利用其低电阻率便于进行铁电性能测 3—5“C／cm2，限制了器件性能的提高．此外，较高的 成膜温度(750oC)也不利于在器件中的应用¨’91． 试．两种衬底结构相同，对薄膜的生长行为和性能将 没有不同影响． Bi4Ti，O。：(BIT)同属Bi系层状钙钛矿结构铁电 am，6=0．545nm，c 材料，且其晶格常数a=0．541 acid)、乙酰丙酮按化学 =3．28