Ti-X-C(X=Si,Al)三元体系的元素机械合金化.pdfVIP

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2015-09-02 发布于湖北
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Ti-X-C(X=Si,Al)三元体系的元素机械合金化.pdf

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第35卷增刊3 稀有金属材料与工程 V01．35，Suppl_3 2006年 12月 RAREMETAL凇TERIALSAlH)ENGINEERING December2006 The6thEastAsiaConferenceonChemicalSensors theCharaCteristicsofTitaniumoxide Study XRDAE IonSensor andS Hydrogen Using Jung—ChuanChou，Hung—HsiYang SchoolofElectmnic Yunlin ofScienceand (Graduate Engineering，NationalUniVersity Technology，Douliou，Taiwan640，China) E-mail：choujc@pine．yuntech．edu．tw the Abstract：wetheextendedionsensitive titanium filmon study gate stmcture，anddeposit oxide(Ti02)thinp-type(1 ion structureis ofthemetaloxide substrate．Thedeviceofthe acommercialdevice hydrogensensing Ti02／Si-substrate，and tothe are semiconductorfieldef话ct connected device．The and transistor(MOSFET)isseparativesensing sensitivitylinearity 80 4 measuredunderdif琵rentwork themixedratioofAr／02is m1．min“／20 work is pressures．When m1．min～，thepressurePa，the isl50 the timeistwo better ofthe and are36．49 sputteringpower W，andsputtering hours，thesensingpropeniessensitiVitylinearity and instrumentsare thesurfaceofTi02 as dif行action mV／pH0．99654，respectively．However，someanalyzed membrane，suchX—ray