Te掺杂对TiCoSb基Half-Heusler化合物高温热电性能的影响.pdfVIP

第36卷 增刊2 vol 2 稀有金属材料与工程 36，Suppl 2007年 8月 RAREMETALMATERTALSANDE％肌ERTNG 2007 AugIlst Te掺杂对TiCoSb基 高温热电性能的影响 昊汀1，一，江莞1，陈立东1，李小亚1，张建峰1，2 (1．中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷与超微结构国家重点实验室，上海200050) (2中国科学院研究生院．北京100049) 摘 台物是单相。在30¨850K的温度范围内测量了材料的电阻率、赛贝克系数和热导率．结果表明：未经掺杂的Ticosb 化台物是n型半导体．在高温下有很高的赛贝克系数。在sb位掺杂Te后，材料的电阻牢和赛贝克系数的绝对值随着 掺杂量的增加明显降低。材料的热导率随着掺杂量的增加而呈小幅度减小。Te掺杂后材料zr值提高，最高的zT值比 基体提高丁5倍多。 关键词：haIf-Heusler化台物；Ticosb；固相反应；热电性能 中图法分类号：0472十．7 文献标识码：A 文章编号：1002．185x(2007)s2-412-03 很少见到对Ticosb化合物体系的高温热电性能的报 1 引 言 Half．Heusler化合物热电材料因具有良好的热电商温热电性能的影响。 性能，尤其是良好的电传输性能【14】，成为。类具有潜 2 实验 在应用前最的热电发电材料。Half-Heusler化台物属于 面心立方的M鼻AzAs型晶体结构，空间群为F43m。Ticosbl冉如==O，O．01，O 通式可写为ABx，A和B为两种不同的过渡金属， x则为sp原子(Ga、sn或sb)，一个晶胞由4个分粉(99 子组成。由于Half-Heusler化台物具有较窄的禁带宽Te的熔点低、蒸汽压高而易挥发，所以先将sb和Te 度和较大的载流子有效质量，从而使其具有较大的赛 熔融得到熔点较高的sb2Te3，然后按化学计量比将各 贝克系数【4≯J，尤其是价电子数(vEc)等于l8的一些化 原料混合均匀，压制成片封装入石英管，于1123K进 合物体系，如zrNisn、Ticosb、NbIrsn和vFesb等。行固相反应144h。将反应后得到的产物粉碎，用放电 K，6 其中，zrNisn化合物已被全面深入的研究，通过适当等离子烧结技术(sPs)在真空条件下烧结(1073 掺杂和合金化，调节载流子浓度和降低热导率，该体 minl，得至0的样品相对密度在95％以上。 系的zr0．5Hf05Nio8Pdo2sno99sbool的z71值在800K时 达0．7州，为目前Half-Hellsler化合物的最高值。 的相组成；用标准四端子法测试样品的电阻率p；在 TiCoSb化合物热电材料也是具有良好热电性能的…定的温差△r下测定试样温差热电势AE，根据AB H“fHeusler化合物，它的赛贝克系数很大，在室温附 近接近200uv／K【4J。近年来对Ticosb化合物的n型 或p型掺杂开始有研究报道，但主要集中在低温热电 计算得到，其中以G、A分别是材料的密度、热容和 热扩散系数。所有测试在300～850K进行。 性能。zhou等报道了Ni掺杂对Tic01．剖i，sb体系的高 温热电性能的影响规律，其中z7值最大的是